[디스플레이공학] Oxide TFT (IGZO)와 Orgainc TFT의 전기적특성 비교 및 심층분석

소개글

경희대학교 정보디스플레이학과 출신으로 LCD 실험을 바탕으로 작성되었습니다.
- A+ 맞은 레포트입니다.
- 여러책 및 학위논문을 바탕으로 완성된 레포트입니다.

목차

Ⅰ. 실험 목적
Ⅱ. 실험 재료 및 기구
Ⅲ. 실험방법
Ⅵ. Reference

본문내용

Ⅰ. 실험 목적 : 차세대 디스플레이가 계속 출현하면서, AMOLED와 TFT-LCD의 성능도 같이 향상되었다. 그러면서 TFT소자에도 advanced된 성능과 저가격의 소자가 요구되었다. 그 중 Oxide와 Organic 반도체가 가장 주목 받고 있다. Oxide TFT를 만들 수 있는 여러 가지가 있는데, 그 중에 IGZO라는 물질이 지금까지 특성이 가장 좋다. 9주차에 amorphous silicon와 poly silicon의 전기적인특성과 광학적인 특성을 비교하여, trans-curve, output-curve를 측정해보고, swing값, mobility, conductance 여러 가지 factor등을 측정해 본다. 또한 UV-VIS spectrometer를 이용하여 산소가 포함된것과 산소불포함된 IGZO의 Optical bandgap도 구해본다.
Ⅱ. 실험 재료 및 기구 : IGZO& Organic 증착 기판, probing system, UV-spectrometer, SPA(반도체 분석기)
Ⅲ. 실험방법 : 우리는 전기적 특성과 광학적 특성을 probe station와 UV-VIS spectroscope를 이용한다.

<중 략>

Oxide-IGZO 반도체의 특징 총정리
지금까지 많은 논문에 실린 특징들을 조사하여 정리.
상온에서 제작한 비정질 TFT일지라도 device가 작동한다. 비정질 실리콘의 경우 250℃ 이하에서 증착하면 특성이 급격히 열화가 된다.
비교적 높은 이동도가 나타난다. 대략 10 cm2/Vs. 반면에 비정질 실리콘의 경우 1 cm2/Vs 이하의 낮은 이동도가 나타난다.
전자도핑(doping)을 통해 축퇴전도(degenerative conduction)를 나타내고, 임계농도가 ~ 1019/cm3 정도로 비교적 낮다. 그러나 비정질 실리콘에서는 지금까지 역사적으로 축퇴전도가 실현된 적이 없다.
별도의 결함 불활성화 처리를 필요로 하지 않는다. 비정질 실리콘의 경우 dangling bond의 결함 처리를 위하여 반드시 불활성화(hydrogenation)를 해주어야 한다.

참고 자료

Chennupati . J, “Zinc Oxide Bulk, Thin Film and Nano Structures” Elseviers, 2006
장현석, “유기박막트랜지스터 고분자 전극의 제조 및 소자성능에 관한 연구”, 경희대학교, 디스플레이 재료공학과
최성란, “유기박막트랜지스터용 게이트 절연 물질의 합성 및 특성”, 경희대학교, 디스플레이재료공학과
김용희, “유기박막 트랜지스터를 이용한 전자종이 back plane개발”, 경희대학교, 정보디스플레이대학원,
이명원, “Design and Fabrication of Flexible Backplane for Electrophoretic Display Based on Organic TFT”, 동아대
ShinJ.H. “Fabrication and characterization of amorphous InGaZnO thin-Film transistors for Display” 한양대학교
Chong E.G, “Study on Electrical properties of a-IGZO TFTs Depending on processing Parameters” KAIST
박상식 3외명, 반도체 공학, 두양사
박영준, VLSI 소자이론, 서울대학교 전기공학부, 교학사
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