bjt의 단자 특성과 바이어싱 결과

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최초 등록일: 2012.12.10
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실험목적
활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의
단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱(biasing) 회로를 실험을 통해 이해한다.
예비 지식
트랜지스터는 세 개의 반도체영역, 즉 emitter영역, base영역,collector영역으로 구성되며 이와 같은 트랜지스터를 우리는 npn형과 pnp형이라 부른다.
◈ npn형
오른쪽은 npn형 트랜지스터의 간략화된 구조이다.
그림을 보면 트랜지스터는 두 개의 pn접합, 즉 이미터-베이스
접합(EBJ)과 컬렉터-베이스접합(CBJ)으로 구성된다는 것을 알 수 있다.
◈ pnp 형
오른쪽은 pnp형 트랜지스터의 간략화된 구조이다. npn형 구조와 같은 이미터-베이스접합과 컬렉터-베이스접합으로 구성된다는 것을 알 수 있다.

앞의 접합에 대한 각각의 바이어스 (순바이어스 또는 역바이어스)상태에 따라 서로 다른 동작 모드가 얻어진다. 예를 들어 트랜지스터를 증폭기로 사용하려면 이를 활성모드에서 동작시켜야 하고, 스위치로 사용하려면 차단 모드와 포화 모드 둘다에서 동작시켜야 한다.
아래의 표는 BJT의 동작 모드를 표로 작성한 것 이다.

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