Electronic Circuit
- 최초 등록일
- 2012.12.16
- 최종 저작일
- 2009.09
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소개글
bias, p type, n type 반도체 조사
목차
1. Describe the characteristics related to p-type material & n-type material.
2. Describe the diode operating conditions for each case no bias, reverse bias, and forward bias.
3. Describe the diode resistance levels at each conditions; DC or Static Resistance, AC or Dynamic Resistance, and Average AC Resistance.
4. Describe the diode equivalent circuits for each case piecewise-linear equivalent circuit, simplified equivalent circuit, and ideal equivalent circuit.
본문내용
1. Describe the characteristics related to p-type material & n-type material.
①N형 반도체란, 전하를 옮기는 캐리어로 자유전자가 사용되는 반도체이다. 음의 전하를 가지는 자유전자가 캐리어로서 이동해서 전류가 생긴다. 즉, 다수 캐리어가 전자가 되는 반도체이다. 예시로, 실리콘과 동일한 4가 원소의 진성 반도체에, 미량의 5가 원소 (인, 비소등)을 불순물로 첨가해서 만들어 진다
[ 그림 ]
B(보론)의 경우 최 외곽 전자가 3개이다. 실리콘 결정에 보론을 첨가하게 되면 Si원자와 공유 결합에 참여한 3개의 전자를 제외 하면 하나가 비게 된다. 이것을 정공(Hole)이라한다.
이 정공의 경우 실제 움직이는 것은 전자이지만 N Type의 자유전자와 달리 자유롭게 이동하지 못한다. 가전자의 빈곳으로 즉, 이 Hole의 위치에 다른 쪽의 전자가 이동하고 새로 생긴 Hole의 위치에 다른 쪽의 전자가 다시 이동하는 형식으로 전자가 움직이게 된다.
이와 같이 가전자의 빈칸으로 이동할 수 있기 때문에 자유롭게 움직이기가 어렵고 결과적으로 일반 전자 보다 질량이 크다.
전자(electron)는 일반적인 전자와 혼돈을 가져 오기 때문에 Hole이라는 별도의 명칭을 붙인것 이다.
B(보론)과 같이 정공(Hole)을 생성하는 불순물을 Acceptor 불순물 이라 한다.
②P형 반도체란, 전하를 옮기는 캐리어로 정공 (홀)이 사용되는 반도체이다. 양의 전하를 가지는 정공이 캐리어로서 이동해서 전류가 생긴다. 즉, 정공이 다수 캐리어가 되는 반도체이다. 예시로 실리콘과 동일한 4가 원소의 진성 반도체에, 미량의 3가 원소 (붕소, 알루미늄등)을 불순물로 첨가해서 만들어진다.
그림
[그림 2]에서 실리콘 결정에 불순물(As)를 주입한 경우를 살펴보자. 공유 결합을 제외한 여분의 전자가 하나 발생한다.
이 여분의 전자를 Extra Electron이라고 하며 As에 결합이 되어 있기는 하나 그 결합력이 매우 약하여 외부의 에너지에 쉽게 끊어 질 수 있다. 즉, As의 결합에서 벗어나 자유롭게 움직일 수 있는 상태가 된다.
이와 같이 As 같이 여부의 전자를 하나 내 놓는 원소를 Donor 불순물 이라 한다.
참고 자료
없음