cvd

소개글

CVD 공정 전반에 관련된 자료입니다.

목차

Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Subject
Ⅲ. Conclusion

본문내용

박막증착이 왜 필요한가?
The observation that the number of transistors that can be placed on an integrated circuit has doubled every two years.
- Intel 공동 창업자, Gordon Moore (1965年) -
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반도체 메모리의 집적도는 1년에
‘2배’씩 증가한다.
- 도체 부문 사장, 황창규 (2002年) -
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박막이란?
Ⅰ. Introduction
-박막 특성 분석의
의의
-박막 특성 분석의 방법
-박막 특성 분석 기기
-박막 관련 분야 시장 동향
Ⅱ. Subject
Ⅲ. Conclusion
박막이란 두께가 단원자층에 상당하는 0.1㎚에서 10㎛
정도의 두께를 가진 기판상에 만들어진 고체 막으로 정의된다.
-CVD란?
-MOCVD
-LPCVD
-APCVD
-PCVD
-PECVD
- ALD
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결정상태에 따른 박막종류.
결정상태에 따라 막의 고유한 특성들이 달라짐으로, 필요에 따라서 구조를 선택하여 박막성장.
다결정 박막성장
비정질(Amorphous)박막성장

<중 략>

안녕하세요 PECVD 발표를 맡은 박태헌 이라고 합니다. PECVD는 플라즈마를 이용해 박막을 증착하는 방법입니다.
그래서 PECVD 발표에 앞서 잠깐 플라즈마에 대해서 알아보겠습니다.
플라즈마는고체, 액체, 기체도 아닌 ‘물질의 제 4상태’ 라고도 말합니다.
플라즈마는 고온에서 전자와 양전하를 가진 이온으로 분리된 기체로서 전하 분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로는 음과 양의 전하수가 같아 중성을 띠는 기체입니다.
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PECVD란 기판 표면에 원료가 되는 가스를 공급하여 플라즈마 및 열 에너지를 이용해서 낮은 온도에서
화학적 반응을 통해 박막을 형성시키는 방법이다. 기존 화학 기상 증착법(CVD)은 매우 고온의 열에너지를 화학 반응의 에너지원으로
사용함으로써 증착 원자의 확삭, 공정 중 열응력 발생 등과 같은 문제를 야기 시킵니다. 이와 같은 단점을 극복하기 위해서 낮은온도
에서 공정을 진행 할 수 있는 PECVD 방법이 쓰게 되었습니다. PECVD는 플라즈마를이용해 화학 반응을 촉진함으로써
필요한 에너지를 상당량 줄여 저온 박막을 형성시킬 수 있습니다. 이로인해 열에 의한 웨이퍼 손상의 문제를 크게 해결 하였습니다.
인해 반도체 제조 시 다양한 물질의 박막 형성 방법으로 널리 사용되고 있습니다.

참고 자료

없음