전자회로실험 공통베이스, 공통이미터

소개글

전자회로 실험 과목의
공통 베이스 회로와 공통 이미터회로의 예비보고서입니다.
많은 도움이 되기 바랍니다.

목차

1. 실험 목적

2. Common Base (npn-type)
2.1 실험 결과에 대한 이론적 분석
2.2 PSPICE 모의 실험
2.3 모의 실험 결과 분석

3. BJT- Common Emitter 회로 Biasing
3.1 실험 결과에 대한 이론적 분석
3.2 PSPICE 모의 실험
3.3 모의 실험 결과 분석

4. pnp를 사용한 Common Base Biasing
4.1 실험 결과에 대한 이론적 분석
4.2 PSPICE 모의 실험
4.3 모의 실험 결과 분석

5. pnp를 사용한 Common Emitter Biasing
5.1 실험 결과에 대한 이론적 분석
5.2 PSPICE 모의 실험
5.3 모의 실험 결과 분석

본문내용

1. 실험 목적
1) Bipolar Junction Transistor (BJT) Common Base 회로의 Biasing을 이해한다.
2) BJT- Common Emitter 회로 Biasing을 이해한다.
3) npn타입과 pnp타입의 Common Emitter, Common Base 회로를 비교한다.
2. Common Base (npn-type)
2.1 실험 결과에 대한 이론적 분석
회로가 정상 작동하기 위해서는 BC는 역방향 바이어스 되어 컬렉터에서 베이스로 전류가
흐르지 않고, 베이스에서 에미터로는 전류가 흘러야된다. 따라서 BC Junction은 역방향 바
이어스 되어야 하고, BE Junction은 순방향 바이어스 되어야 한다. 이론적으로
=-0.4V, Vbe=0.7V이면 npn 트랜지스터가 active mode로 정상 작동된다. 따라서
VEE가 0.7V이상, VBE는 -0.4V이상이면 된다. VEE를 계속 증가시키면 베이스에 흐르는
전류가 증가하므로 아래 그림과 비슷한 I-V 그래프가 그려질 것이다.

<중 략>

4.2 PSPICE 모의 실험
4.3 모의 실험 결과 분석
실험 2와 같은 결과를 확인할 수 있다. 이는 VCC 와 VBB의 극성이 역으로 됐을 뿐 그 외에 회로의 동작은 똑같기 때문이다. 여도 전류가 일정한 순활성모드 부분을 확인할 수 있으며, VEE를 증가시켜 나오는 I-V 그래프도 확인할 수 있다.
Ic+Ib=Ie의 전류법칙도 위의 표에서 2.5104mA + 21.370uA = 2.5104mA로 확인 가능하며 current gain B는Ic/Ib = B이므로 2.5104m/21.370u = 117.473로 예상된다.

참고 자료

없음