반도체 솔라셀 기말발표

소개글

반도체솔라셀공정

목차

1. 반도체 제조공정의 분류
2. 쵸크랄스키법 [ Czochralski Method ]
3. 웨이퍼 가공공정. 이것만 기억하라 Part 1. Etching(식각)
4. 웨이퍼 가공공정. 이것만 기억하라 Part 2. Photo-lithography
5. 웨이퍼 가공공정. 이것만 기억하라 Part 3. Deposition(증착. PVD & CVD)

본문내용

반도체 제조공정의 분류
반도체는 최초 웨이퍼 제작에서부터 최종완제품까지 크게 4가지 공정으로 구별.
1. Silicon원석에서 웨이퍼를 제작하는 웨이퍼 제조공정
2. 제조된 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 표면에 집적회로를 형성하는 웨이퍼 가공공정
3. 가공된 웨이퍼로 Chip을 제작하는 Package조립공정
4. Package를 Module에 부착하여 완전한 기능을 하는 제품으로 제작하는 Module조립공정

1. 웨이퍼 제조공정

(1) 단결정 성장(Crystal Growing)
고진공 상태에서 섭씨 1400도 이상의 고온에 녹은 폴리 실리콘은 정밀하게 조절되는 조건하에서 큰 직경을 가진 단결정봉으로 성장
(2) 절단(Shaping)
절단에서는 실리콘 단결정봉을 웨이퍼, 즉 얇은 슬라이스로 변형시키는 공정
(3) 경면연마(Polishing)
조연마 과정을 거친 웨이퍼는 식각공정을 거치면서 추가적인 표면 손상을 제거하고, 공정을 정밀하게 통제하는 완전 자동화된 장비로 가장자리 부분과 표면이 경면연마
(4) 세척과 검사 (Cleaning & Inspection)
경면연마 과정을 거친 웨이퍼의 표면에 있는 오염물을 제거

참고 자료

없음