반도체의 제조공정

목차

1.반도체 제조공정
2. 웨이퍼 제조 및 회로설계
3. 조립 및 검사

본문내용

반도체 제조공정
반도체는 어떻게 만드는가?반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘칩에 지나지 않지만 그 안에는 수만 개에서 천만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터)이 가득 들어있다. 이러한 전자부품들이 서로 정확하게 연결도어 논리게이트와 기억소자 역할을 하게되는 것이다.칩 속의 작은 부품들은 하나하나 따로 만들어서 조립되는 것이 아니다. 그것은 불가능하다. 대신 부품과 그 접속부분들을 모두 미세하고 복잡한 패턴(문양)으로 만들어서 여러 층의 재료 속에 그려 넣는 방식을 사용한다. 그러기 위해서는 문양을 사진으로 찍어 축소한 마스크를 마치 사진 인화할 때의 필름처럼 사용한다.

웨이퍼 제조 및 회로설계
1.단결정 성장 :고순도 로 정제된 실리콘용 융액에 SPEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장 시킴.
2. 규소봉 절단 :성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크기는 규소 봉 의 구경에 따라 3", 4", 6", 8"로 만들어지며 생산성 향상을 위해 점점 대구 경화 경향을 보이고 있음.
3.웨이퍼 표면연마: 웨이퍼의 한쪽면을 연마 하여 거울면처럼 만들어 주며, 이 연마된면에 회로 패턴을 그려넣게 됨.
4.회로설계:CAD(Com- puter Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이 퍼 위에 그려질 회로 패 턴을 설계함.
5. MASK(RETICLE)제작 : 설계된 회로패턴을 E-beam 서리로 유리판 위에 그려 MASK(RETICLE)를 만듬.
6. 산화 (OXIDATION)공정 : 고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막 (SiO2)를 형성 시키는 공정

참고 자료

없음