[재료] MR헤드 및 센서

소개글

MR센서에 대해 폭넓게 작성하였습니다..

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목차

●자기 저항 효과 (Magnetoresistance) : MR
◎CMR 재료의 결정구조 및 전·자기 특성
◎CMR 관련 물리현상 및 이론
1. 이중교환(Double Exchange)
2. Dynamic Jahn-Teller Effect
3. Lattice Distortion and Size Effect
4. Magnetostructural Effect
5. Charge Ordering: TypeⅡCMR

◎연구 동향 및 주요 issue
1. 재료 시스템
2. 제조공정
3. 주요 issue
●자기센서란 무엇인가 ?
●자기센서의 종류
●자기저항효과소자(MR)
●MR 센서란
●MR센서의 구조
●MR센서의 재료
●MR센서의 원리
●MR 센서의 용도
●MR센서의 감도 측정방법
●MR센서와 피검체와의 간격에 따른 출력전압의 변화
●MR센서 저항치의 온도 특성
●MR센서의 출력전압의 온도특성

본문내용

●자기 저항 효과 (Magnetoresistance) : MR
1994년 재미 한국인 과학자인 AT&T Bell Lab의 진성호 박사가 La_1-xCa_xMnO_3의 epitaxy 박막에서 120,000 ％의 충격적인 자기저항 효과를 발표하였다. 이후 이 현상은 초거대 자기저항 효과(Colossal magnetoresistance, CMR)로 명명되고 CMR을 나타내는 일련의 페로브스카이트(Perovskite) 구조의 망간 산화물은 고체물리 및 자성재료 연구의 전면에 등장하게 되었다.
초거대 자기저항 재료에 대한 관심은 학문적인 면과 응용적인 면으로 나뉠 수 있다. 먼저 학문적인 면에서는 금속-반도체 전이 , charge-ordering, magnetic polaron, 간접 자기교환(indirect magnetic exchange) 등 "물리이론의 백화점"이라 불러지고 있을 정도로 현대 응집물리의 이론이 망라되어 있다. 또한 고온 초전도체 산화물과의 유사성(Chevrel phase 중 일부는 외부 자기장에 의해 초전도 현상이 나타난다)으로부터 고온 초전도 이론의 규명에 일조를 할 것으로도 기대된다. 응용면에서는 기존의 이방성 자기저항(anisotropic magnetoresistance,AMR)및 현재 각광을 받고 있는 거대 자기저항(ginat magnetoresistance, GMR)소자의 발전선상에서 자기 센서 및 자기 기록 MR 헤드 등에서의 활용이 기대 된다.
특히 MR 헤드 기술은 기록밀도를 향상케 하는 핵심기술로 인식되고 있다고 한다. 아직까지도 CMR 효과가 발현되는 온도가 매우 낮고, 초거대 자기저항비를 얻기 위해 필요한 자기장의 크기가 수 Tesla 정도로 크며, 작은 자기장에서의 자기저항비가 미미한 점등으로 가까운 장래에의 상용화는 어려우나 그 잠재성만은 충분하다고 생각된다.

참고 자료

없음