전자회로실험 - FET-BJT

목차

4. 실험목적

5. 실험결과 및 분석, 고찰
5.1.특성곡선그리기
5.2 Q-Point 구하기.
5.3 FET증폭기(spec : Vdd=12V, Zi≧4MΩ Zo≦3MΩ Av≧5, Vo≧2Vpp )
5.4 FET OUTPUT 임피던스 측정
5.5 OPAMO증폭기기로 입력전압낮추기
5.6 FET+BJT증폭기(spec : Vdd=24V, Zi≧4MΩ Zo≦3MΩ Av≧300, Vo≧10Vpp )
5.7 FET+BJT OUTPUT 임피던스 측정
5.8 FET증폭기의 특성곡선 구하기.

6. 느낀점 및 잘못된 점

7. 참조문헌(Reference)

본문내용

4. 실험목적
• FET의 특성을 알아보고 특성곡선과 Q-Point를 구해보자.
• FET의 특성을 이용하여 Amplifier회로를 만들어보자.
• FET와 BJT의 cascade 연결을 통해서 Amplifier회로를 만들어보자
• 각 FET와 FET-BJT Amplifier의 OUTPUT 임피던스를 구해보자.

5. 실험결과 및 분석, 고찰
5.1.특성곡선그리기
위 특성곡선을 보면 약 ID=8mA에서 더 이상 증가하지 안으므로 Idss는 8mA이다. 이값은 실제 데이터시트의 10mA와 거의같은값을

<중 략>

OPAMP증폭기를 이용해서 18mVpp로 낮춘후 FET+BJT증폭기를 이용해서 증폭한결과
(초록색선은 18mVpp 파랑선은 11.2Vpp)
실제 실험결과는 위와 같으며
배가 증폭되어서 스펙을 만족시켰다.여기서 Av값이 양수로 나온 이유는 처음에 FET증폭기에의해 한번 반전된 후

참고 자료

전자회로-홍릉과학출판사 (6,7,8장)