[직접회로] 이온주입공정

목차

제1장 서론
제2장 이온 주입 장비
제3장 이온 주입의 특징 및 응용
제4장 비정질에서의 주입 이온의 분포
제5장 단결정에서의 주입 이온의 분포
제6장 손상(Damage)
제7장 아닐링(Annealing)
제8장 소자 및 집적 호로 제조 기술에 미치는 영향

본문내용

* Ion inplan - tation ?
회로 패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 GAS입자형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 정자 소자의 특정을 만들어 줌, 이러한 불순물 주입은 고온의 전기로 속에서 불순물 입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 diffusion공정에 의해서도 이루어진다.
이온 주입의 가장 중요한 이점은 주입되는 불순물 원자의 수를 정확히 조절할 수 있다
10(14) ~ 10(18) 원자/cm3 범위에서 불순물 농도를 조절하는 데는 이온 주입이 다른 불순물 도입 기술보다 분명히 이점을 갖고 있다. 이온 주입시 사용되는 마스크는 보통 집적 회로 제작시 쓰이는 재료인 감광 물질, 산화물, 질화물, 다결정 실리콘 등으로 만들어질 수 있다.

* 이온 주입 조건
Source : 11B+, BF+2, 31O+, 75As+, Ar+
Energy : 35kev ~ 180kev
Dose : 1E11/cm2 ~ 1E14/cm2
* 진공 장치 : 10(-7) ~ 10(-5) torr 정도의 진공에서 동작한다.
* 이온 공급 장치 : 중성 원자를 떼어내어 양으로 대전된 입자를 만들어 준다.

참고 자료

없음