사진식각공정

목차

사진식각공정
감광제의스핀
소프트베이크
소프트베이크에 사용되는 장비
현 상
하드 베이크
정렬과 노출시스템

본문내용

목적: 마스크 패턴을 웨이퍼로 옮기는 과정
종류: 광사진식각, E-beam사진식각, X-선사진식각
•광사진식각:광을 이용하여 회로 패턴을 웨이퍼표면에 형성하는 것
•E-beam사진식각: 전자가 갖는 파장을 이용하므로 미세패턴을 얻을수 있다.
단점: 소요시간이 길고 장비가 비싸다.
•X-선사진식각: X-선을 이용하는 것으로 마스크 제작이 어렵다.
공정순서
표면처리->PR코팅->소프트베이크->정렬,노출->현상->하드베이크->식각->PR제거
☉감광제의구성
1.용 제: 감광막을 용해시킬 때 쓰이는용액
2.다중체: 감광막의 핵심으로 원자들의 반복적인 구조를 가진 분자들의 집합체
3.감응제: 에너지를 다중체에 주어 이중결합을 깨뜨리게 하며, 빛에 노출는 시간을 감소시킴과 동시에 노출정도를 고르게 하는 역할 용제는 감광막을 용해 시킬 때 쓰이는 용액이고 다중체와 감응제는 저장과 운반을 쉽게하고 보관 중의 빛에 의한 반응을 막기 위해 용제 용해되어 있다.
양성 및 음성 감광제의 비교
1.산화막 표면과의 접착도
음성 감광막은 양성 감광막보다 접착도가 좋다.
(감광제를 스핀하기 전에 표면 처리하면 좋은 접착도를 얻을수 있다.)

참고 자료

없음