[직접회로] CMOS 공정 과정

목차

1) WELL OXIDATION
2) WELL PHOTO
3) OXIDE ETCH
4) P/R STRIP
5) BUFFER OXIDATION
6) WELL IMPLANTATION
7) WELL DRIVE IN
8) WELL OXIDE STRIP
9) BARRIER OXIDATION; NITRIDE DEPOSITION
10) ACTIVE PHOTO
11) ACTIVE ETCH : PR STRIP
12) FIELD PHOTO
13) CHANNEL STOP IMPLANTATION
14) P/R STRIP
15) FIELD OXIDATION
16) NITRIDE STRIP : BARRIER OXIDE STRIP
17) FIRST GATE OXIDATION
18) VT IMPLANTATION
19) FIRST GATE OXIDE STRIP
20) SECOND GATE OXIDATION
21) POLY DEPOSITION : PHOSPHORUS DOPING
22) GATE PHOTO
23) POLY ETCH : P/R STRIP
24) N-PLUS PHOTO
25) N-PLUS IMPLANTATION
26) P/R STRIP
27) P-PLUS PHOTO
28) P-PLUS IMPLANTATION
29) PR STRIP
30) PSG-1 증착(Phosporous silicated glass)
31) CONTACT PHOTO
32) CONTACT ETCH : PR STRIP
33) METAL-1 SPUTERING
34) METAL-1 PHOTO
35) METAL-1 ETCH : PR STRIP
36) PYROX SiO2 DEPOSITION
37) VIA PHOTO
38) VIA ETCH : PR STRIP
39) METAL-Ⅱ SPUTERING
40) METAL-Ⅱ PHOTO
41) METAL-Ⅱ ETCH : PR STRIP
42) PASSIVATION

본문내용

CMOS공정의 첫 번째 단계로서 산화막 층을 성장시키게 됩니다.
이 산화막 층은 앞으로 있을 공정에 대비한 기판 stress를 줄이기 위한 것입니다.
여기서는 습식산화 방식에 의해 성장시켰습니다.
CMOS공정 중 두 번째 과정으로 N-Substrate 지역 안에 P-TYPE WELL을 만들기 위한 준비과정으로 산화막층 위에 감광막을 씌우고 그 위에 마스크를 씌우게 됩니다

참고 자료

없음