TEM의 원리

목차

1. Principle
2. TEM structure
3. TEM analysis

본문내용

◆ Diffraction
- Bragg’s law
2d sin θ = nλ / sinθ(반사각 θ )
/ nλ(정수배의 파장)
Pricinple
◆ Diffraction Pattern
입사빔과 시편의 결정면 회절
보강간섭과 소멸간섭
Pricinple
1) 결정 시스템 : 7 종류의 결정구조
2) Bravais lattice : 14 종류의 결정구조
Principle
◆ 역격자 (reciprocal lattice)
- 역격자의 길이 절대값 lg(hkl)l 은 {hkl}면간 거리 dhkl의 역수
Principle
1) Sin θ = op λ/2 , op = 2Sin θ/ λ

<중 략>

◆ Kikuchi pattern
- 결정이 기울어짐에 따라
Kikuchi 선은 기울어진 각도
만큼 위치가 변함.
정확한 방위위치 결정과
회전 각도의 보정에 이용.
TEM analysis
◆ 수렴성 빔 전자회절(CBED)
수렴성이 높은 전자빔으로 제한시야 회절
보다 훨씬 작은 영역의 회절상을 얻을 수
있다
TEM analysis
◆ 수렴성 빔 전자회절(CBED)
(1) ZOLZ(zero order laue zone)
- 점회절 패턴과 동일한 거리와 각도로 형성
- 수렴반각의 계산
점회절 패턴과 동일한 결정구조 분석

<중 략>

◆ 시편 조건
- 우 얇아야 한다.
- 3mm의 원판 모양이어야 한다.
- 표면이 매우 깨끗해야 함.
- 자성이 없어야 한다.
◆ 시편제작법의 종류
- Ion milling, 기계적 연마법, 전해연마법, 집속이온빔 (FIB) 법
Sample preparation
◆ Ion milling 법
Summary
▶ TEM 단점
- 고 에너지의 전자빔에 시편이 변형됨
- 시료 준비시간이 길고, 매우 숙련된 기술이 요구
- 원자배열도 관찰가능
미소영역 회절 분석 및 성분 분석 가능
적은 양의 시편에서도 회절상 얻을 수 있음
▶ TEM 장점

참고 자료

없음