직접회로 작성 및 인쇄도포 방법 영문자료 번역

목차

3.4 deep-uv 레지스트
3.5 E-Beam 레지스트
3.5.1 acrylates
3.5.2 폴리 (올레핀의 설폰화합물)
3.5.3 에폭시는 레지스트.

본문내용

직접회로 만드는 공정자료 영문자료 번역
그림 45. Rohm와 Haas 자료에 대한 프로세스 옵션을 제공한다. 오른쪽 경로는 레지스트가 남아있고 교차 연결되어 노볼락 수지베이스의 Tg 상기 온도에 노출되면 그 때문에 이 흐름을 하지 않는 positive 톤 이미지를 생성한다. (용어 노볼락 : 페놀수지 제조의 중간체, 페놀과 포름알데히드를 산촉매, 페놀 과잉의 조건에서 반응시켜 얻는 페놀핵 5~10개를 함유하는 고체의 곧은 사슬상 올리고머를 말한다.) 왼쪽 경로는 열 안정성 negative 톤의 이미지를 제공한다.

3.4 deep-uv 레지스트
I - 라인과 중반 UV에 대한 소개에 표시되는 인자의 모든 (제 3.3.2.1) 240 260nm, 깊은 자외선 (DUV) 스펙트럼 영역 (그림 28)에 적용되는 저항이다. 거기에 추가로 DUV에 노출의 파장을 줄임으로써 실현하는 해상도로 상당히 개선이 있지만, 이 개선을 실현과 관련된 문제가 상당히 있다. 그리고 주요 변경 사항은 렌즈 설계 광원에 필요한 레지스트가 있다. 최근 연구의 흥미롭고 매우 활성화된 영역(71-73)에서 검토된다.

<중 략>

이러한 시스템에서 매트릭스 수지와 용해 억제제 모두 고분자 이다. 일반적으로 두 고분자 혼합물은 고체 솔루션 결과는 아니지만, 대신에 매크로 규모 동질인 것이 아닌 것으로 믹스 단계로 구분하고 시스템을 레지스트로 유용되지 않을 것이다. 노볼락와 합성의 단계 호환되는 결합을 생산하는 방법을 찾는 보기의 실용적인 시점에서 (설폰화합물) 화학자가 이러한 레지스트를 자세히 하기 위해 극복했던 가장 큰 문제가 되었다. 벨 연구원 노볼락 (101)의 구조를 수정하여 단계 호환성을 달성했다. NPR, 이 시스템의 벨 버전과 출판 첫 번째는, 특별한 노볼락 간단한 합성 (설폰)로 구성되어 있다. SNS는 이 레지스트 IBM의 버전의 일반적인 M - 크레졸 노볼락 및 맞춤형 합성 (설폰) 공중 합체 (102)에서 형성된다. 히타치 화학의 특수 용제의 사용은 m-크레졸의 균일한 필름을 형성하고 NPR에서 사용되는 합성 (2 -메틸-1-pentene) 설폰(두 개의 탄소 원자에 붙어 있는 설폰일기(基)를 포함한 유기화합물이다.) (103)를 허용 것으로 나타났다. 레지스트 기반으로 미국과 일본에서 지금 이러한 디자인을 한다.

참고 자료

없음