연구자료36 (황화아연재료전계방출)

소개글

황화아연 나노가공재료의 전계방출과 나노센서 특성

목차

1. 서론
2. 황화아연 나노가공재료의 전계방출 응용
3. 황화아연 나노 가공재료의 물리화학적 응용
4. 결론
5. 출처

본문내용

황화아연은 맨 처음 개발된 반도체의 하나이면서, 동시에 황화아연은 특이한 기본적 특성과 다양한 응용성을 가지고 있어, 황화아연의 적용분야는 다면적이고 첨단과학적 미래지향성을 갖고 있다. 나노크기 황화아연의 형태와 구조는 여타 무기성 반도체에 비하여 특히 우수한 편이다. 이러한 관점에서 황화아연 나노구조 및 나노구조물에 관한 최신 연구활동을 포괄적으로 정리한 장대한 논문을 분석한 것이다. 여기서는 황화아연 개발의 역사적 배경, 구조적 특성,화학적 특성, 전기전자적 특성 및 응용이 기대되는 부문까지 망라하고 있다. 또한 황화아연 나노구조와 나노구조물의 합성, 그 특성과 잠재성을 정리하여 분석했다. 또한 황화아연 나노구조와 나노구조물의 전기적, 화학적, 물리학적 파리미터를 정리하고 합성조건과 형태 사이의 상관
성을 정리하고 분석했다.

[keywords: Zns 전계방출; ZnS 전계효과; ZnS 촉매활성; ZnS 가스센서; ZnS 화학센서; Zns 나노발전기]

1. 서론

황화아연(ZnS)은 초기에 발견된 반도체의 하나이면서, 다양한 기본적 특성과 적용성을 갖고 있으며, 발광 다이오드(LEDs: light-emitting diodes)∙전기장 발광∙액정표시장치∙적외선 윈도∙센서∙레이저 및 바이오 장치 등에 널리 적용되고 있다. 황화아연의 원자구조 및 화학적 특성은 산화아연(ZnO)에 비견할 만하지만, 보다 특이하고 유용한 특성을 더 많이 갖고 있다. 황화아연의 밴드갭(bandgap)은 3.72~3.77eV로서 산화아연의 밴드갭 3.4eV에 비해 높으므로, 자외선(UV)을 이용하는 센서나 광-검지기에 적합한 특성을 갖고 있다. 또한 황화아연은 전기장 발광에 유용하게 이용될 가능성을 갖고 있지만, 황화아연의 나노구조는 산화아연 나노구조에 비해 세세하게 규명되어 있지 아니한 실정이다.

<중 략>

3.8. ZnS 나노 발전기

나노발전기(nanogenerator)의 개념은 ZnO 나노와이어의 압전(piezoelectric) 특성을 원자힘현미경(AFM: atomic force microscope)으로 조사하는 과정에서 발견되어, 압전 ZnO 나노와이어 배열을 수단으로 하여 나노 스케일의 기계적 에너지를 전기적 에너지로 전환시키게 되었던 것이다. 극성 표면(polar surface)이 존재하고 그 센터의 대칭성이 결핍되어 있으면 압전 영향을 발생시키게 되므로, ZnO가 나노발전기의 개발 대상으로 되게 되었다.

참고 자료

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