[아주대] 논리회로실험 2장 결과(CMOS 회로의 전기적 특성)

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목차

1. OBJECTIVES
2. PROCEDURES & RESULTS
3. CONSIDERATION

본문내용

OBJECTIVES
이 실험을 통하여 schmitt-trigger inverter 소자의 Hysteresis 특성과 CMOS inverter 회로의 parameter(V _{OHMIN}, I _{OHMAX})들을 알아보고, 그걸로 소자의 내부 특성을 알 수 있었다.
PROCEDURES & RESULTS
< 실험 1 >
회로도
실제 실험 사진
예상 실험 결과 값
실제 결과 값
이 회로를 실험 전 미리 작성한 결선도를 보고 만든 뒤에 ch1의 전압 값을 천천히 올려가며 오실로스코프의 입출력 전압 값을 관찰하고 다시 천천히 내려가며 관찰했다. 하지만, 소자에 연결된 V _{cc}를 연결한 출력 단자에 V _{i`n}을 같이 연결하여서 똑같은 전압원을 이용해서 실험을 하려니 측정이 되지 않았다. 하지만, V _{i`n}의 연결 단자의 입력 전압원을 다른 단자로 바꿔 V _{cc}연결 단자는 4.5V로 고정하고 V _{i`n}이 연결된 전압원의 입력 값을 바꾸니 오실로스코프에서 파형이 위의 결과 값과 같이 측정되었다. 처음 만든 회로가 작동하지 못한 이유는 소자에 연결된 전압원과 V _{i`n}이 연결된 전압원이 같으면 서로 들어가는 입력 값이 같으므로 측정이 불가능해지기 때문이다.

<중 략>

R _{n} = {V _{OLMAX}} over {LEFT | I _{OLMAX} RIGHT |} = {0.15V} over {4.4mA} =34.09Ω이 계산되었다. 이 값은 이론값인 65Ω과 %differance가 90.67%로 앞서 실험한 오차보다 큰 오차가 발생했다. 오차가 발생한 이유를 살펴보면, 실험 당시의 온도와 데이터 상의 온도의 차이, 사용한 IC소자와 데이터 상의 IC소자의 차이, 회로 내부의 미세저항(도선, 멀티미터 등)과 같은 요인들이 있다. 또, 이 실험에서는 부하를 1kΩ의 저항으로 달아줬지만 만약 다른 부하를 달게 된다면 I _{OLMAX} 값이 바뀌고 결국 V _{OLMAX} 값도 바뀌기 때문에 CMOS 소자에서는 소자뿐만이 아니라 부하를 무엇을 다느냐에 따라 동작속도가 바뀌어 또 다른 오차의 요인이 생길 수 있었다.

참고 자료

없음