반도체 CMP공정 교육자료

소개글

반도체 CMP공정에 대하여 상세하게 설명하고 있는 자료입니다.

목차

1. CMP 기술에 대한 설명
- CMP란 무엇인가 ?
- CMP 기술의 필요성
- CMP 기술 용어 해설
- 공정 불량 유형

2. CMP 장비
- 각사별 System review
- 각사별 Head 비교

3. CMP 기타 내용
- Retainer ring 특허 내용 소개
- Break-In
- Pad/Slurry/Conditioning
- Profile

본문내용

CMP 기술의 필요성

1) 단순히 가공면의 평면도(flatness)를 향상시키는 것
: Bare wafer의 TTV(Total Thickness Variation) 향상

2) 박막 표면을 균일하게 제거하는 것
: Blanket wafer의 산화막 균일제거
: SOI wafer의 실리콘 단결정층 제거

3) 요철 표면의 돌출부를 선택적으로 제거하는 것
: 디바이스화 공정 중(절연막 공정후, 층간 배선
스퍼터링 공정 후 등)에 발생하는 요철표면의 돌출부 선택 제거

4) 이종 재료를 동시에 균일하게 표면 제거하는 것
: Al, Cu, W 등의 금속 배선과 산화물 및 질화물 등의 절연막의 이종 재료를 동시에 균일 제거

참고 자료

없음