[4주차] Transistor 트랜지스터 실험 예비레포트

목차

1. BJT 의 기본적인 동작원리에 대하여 조사하시오. BJT의 동작모드는 어떤 것이 있는지를 설명하시오.
2. MOSFET 의 기본적인 동작원리에 대하여 조사하시오. MOSFET의 동작모드는 어떤 것이 있는지를 설명하시오.
3. Early Voltage 에 대하여 조사하시오. BJT와 MOSFET에서 Early Voltage가 발생하는 이유에 대하여 설명하시오.
4. 실험 1,2의 회로를 분석하고 실험에서 예상되는 결과를 Simulation 또는 회로 해석을 통하여 구하시오.

본문내용

1. BJT 의 기본적인 동작원리에 대하여 조사하시오. BJT의 동작모드는 어떤 것이 있는지를 설명하시오.

1) BJT 란?

Bipolar(쌍극성)
두개의 극성을 가지며 두 종류의 반송자, 즉 정공과 자유전자가 모두 전류 메카니즘에 관여한다.

Junction(접합)
PN접합이 두개 존재한다.

Transistor
(트랜지스터)
두개의 PN접합이 구성된 것이 아니라 Base에 의해 저항값이 변화된다.

2) BJT 종류
BJT(Bipolar Junction Transistor)는 두 종류의 것이 있다.

PNP 트랜지스터는 Emitter, Collector가 P형 반도체 물질로 구성되어 있고 Base는 N형 반도체 물질로 구성 되어 있다.
위의 회로 기호로 보면 화살표 방향이 있는 부분이 항상 Emitter가 된다. 화살표 방향은 전류의 방향을 나타낸다.

NPN 트랜지스터는 PNP와 서로 반대의 구조를 가지고 있다. 이는 반도체에 Doping하는 물질이 서로 반대이다. Emitter, Collector 는 N형 반도체, Base는 P형 반도체물질로 구성되어 있다.

<중 략>

전체적인 그래프의 모습을 보면 컬렉터에 흐르는 전류 I_C는 베이스와 이미터 사이의 전압강하가 -범위에 있을 때는 거의 0이다. V_BE가 -값을 갖는다는 것은 n-p-n 트랜지스터에서 이미터-베이스 junction(EBJ)이 Reverse 상태인 것을 의미한다. 왜냐하면 V_BE가 -일 때 둘 사이에서 전류는 이미터에서 베이스 쪽으로 흐르게 되고, 결국 n형 물질에서 p형 물질로 전류가 흐르는 것이기 때문이다. 이 경우 트랜지스터는 Reverse active 또는 Cutoff 모드가 된다.

참고 자료

없음