Hall Effect에 의한 전기적 특성분석

목차

1. 서론
2. 이론
3. 실험 방법
4. 결과 및 토론
5. 결론

본문내용

1. 서론
홀효과의 예
클라우스 본 클리칭 박사는 양자 홀 효과(Quantum Hall Effect)를 발견한 공로로 1985년 노벨 물리학상을 수상했다.

양자 홀 효과는 인류가 성취한 과학 진보 중 가장 높은 정밀도를 가진 현상 중 하나로, 이 현상을 활용하면 전기저항을 10억분의 1의 정밀도로 측정하는 것이 가능해진다. 즉, 서울서 동경까지의 거리를 1mm 의 정확도로 측정할 수 있다.

이 현상은 또 양자 전자기학 등이 크게 발전할 수 있게 된 기반이 됐고, 분수 양자 홀 효과(Fractional Quantum Hall Effect, 1998년 노벨 물리학상)의 발견을 이끄는 등 현재 물리학의 학문적 수준을 획기적으로 끌어 올렸다.

2. 이론
Hall Effect and Lorentz Force
홀효과의 가장 기본적인 물리적인 원칙은 Lorentz법칙이다. 그림1에서처럼 x축에 정전류를 인가한후 z방향에 자속농도를 인가하면 전자는 -y축방향으로 이동하여 샘플의 양쪽면을 통해 홀전압을 발생시킨다 이러한 힘을 로렌츠력이라 한다. 이러한 홀전압은 VH = IB/qnd 와 같이 나타나며 ( I 는 전류, B 는 자속밀도, d 는 샘플의 두께, q (1.602 x 10-19 C) 는 전하량 그리고 n은 전하의 갯수이다.)

참고 자료

없음