[반도체공학] 박막증착의 방법

*성*

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최초 등록일: 2003.05.08
최종 저작일: 2003.05; 5페이지/ 압축파일; 가격 1,000원

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본문내용

(1) CVD : Chemical Vapor Deposition의 약어로 화학적기상성장법을 말하는데 반도체기판상에 화학반응을 이용해 실리콘(SiO⁴) 등의 박막을 형성시키는 공정을 말한다. 반도체기판상에 박막을 형성시키는 방법인 CVD는 기판표면의 배선.전극 등에 다른 종류의 가스와 고체 또는 가스와 액체의 화학반응에 의해 생성되는 박막 퇴적물질을 부착시키는 공정상의 방법을 말한다.

◎ CVD 기술 및 특징 : CVD는 가스상의 화합물을 기판 위에 퇴적시키고, 기상 또는 기판표면 상에서 분해, 산화 등의 화학반응에 의해 박막을 형성하는 기술이며, 이러한 화학반응을 일으키기 위해서는 에너지가 필요한데, 가해주는 에너지원에 따라 다음과 같이 분류된다.

● Thermal CVD : 기판을 가열함으로써 반응물의 퇴적에 의한 박막형성을 얻으며, 대기압하에서 반응시킨 상압 CVD와 대량생산성 및 적용 범위를 향상시키기 위해 감압 (0.1 ~ 1 torr)하에서
막형성을 행한 감압 CVD로 대별한다.

● Plasma CVD : RF Glow Discharge에서 전기 에너지에 의해 반응을 촉진시켜 박막형성을 행하는데,
이 과정에서는 열을 필요로 하지 않으므로 저온화가 가능하다.

참고 자료

없음

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박막증착의방법.hwp
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