제10장 트랜지스터 예비레포트

목차

1. 실험목적
2. 실험을 위한 이론 및 용어정리
3. 실험과정
4. 예상 결과

본문내용

◈ 실험목적
* 트랜지스터의 바이어스에 대하여 자세히 이해한다.
* 에미터-베이스회로에서 Iee 에 대한 순방향과 역방향 바이어스 효과를 확인한다.
* 에미터-베이스 회로에서 컬렉터 전류에 대한 순방향과 역방향 바이어스 효과를 측정한다.
* ICBO를 측정한다.

◈ 실험을 위한 이론 및 용어정리
① 트랜지스터
- 규소나 저마늄으로 만들어진 반도체를 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소이며 전류나 전압흐름을 조절하여 증폭, 스위치 역할을 한다. 가볍고 소비전력이 적어 진공관을 대체하여 대부분의 전자회로에 사용되며 이를 고밀도로 집적한 집적회로가 있다. 접합형 트랜지스터와 전기장 효과 트랜지스터로 구분한다.
트랜지스터는 1947년 미국 벨연구소의 Wiliam Shockley, John Bardeen, 월터 브Walter Brattain이 처음으로 발명하였다. 보통 트랜지스터는 접합형 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor: BJT)를 의미하며 전기장 효과를 이용한 전기장 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET)가 있다.

참고 자료

없음