[전자공학] 반도체 제조 공정

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목차

단결정 성장

규소봉 절단

웨이퍼 표면 연마

본문내용

Slicing공정을 진행하기 위한 준비 공정, Work Table위에 Carbon Beam 또는 Polyurethane Epoxy Resin을 접착하고 그 위에 Ingot을 Epoxy 또는 Bond를 이용하여 접착시키고, Ingot의 절단 시 발생할 수 있는 Exit Edge Chip을 방지하고 일정한 상태로 절단될 수 있도록 하는 공정이다.
땅속의 원소중 산소 다음으로 풍부한 물질이 바로 규소, 즉 실리콘이다. 이 실리콘을 정제해서 단결정으로 만든 것이 집적회로(IC)를 만드는 재료이며, 이것이 실리콘 단결정인 잉곳(Ingot)이다. 실리콘 잉곳은 수백µm의 두께로 절단되어 한 쪽면을 거울같이 연마한 실리콘 웨이퍼(Wafer)가 된다. 집적회로는 이 실리콘 웨이퍼의 표면에 만들어진다.
실리콘 반도체 소자 생산의 첫 단계는 규소로부터 실리콘을 추출하는 일이다. 단순히 추출만 해서 되는 것이 아니고 극히 고순도로 만들어야 할 필요성이 있다. 몇 PPB(천만분의 일)이하의 순도를 가지는 실리콘을 전자급 혹은 반도체급이라 부른다. 이러한 고순도 실리콘을 추출하는데에 수소환원과 실리콘 함유 가스의 열분해등 2가지 방법이 있다.
수소 환원은 사염화규소나 삼염화 사일렌으로 시작한다.

참고 자료

없음