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BJT와 FET의 비교

*은*
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최초 등록일
2014.03.28
최종 저작일
2013.03
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목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 회로도
4. 실험기기 및 재료
5. 실험 측정값
6. 실험사진
7. 비교

본문내용

BJT의 공통 이미터와 대응되는 MOSFET의 공통 소스 증폭기를 비교하는 실험을 진행한다.
이 두 트랜지스터는 높은 전압이득을 얻을 수 있다는 장점 때문에 널리 사용되고 있다. 둘을 비교함으로서 트랜지스터의 동작 특성을 더 자세히 알아보고자 한다.

이론
1. BJT란?
양방향 접합 트랜지스터로 2개의 PN접합으로 이루어진 트랜지스터이기에 이러한 이름을 갖는다.
NPN과 PNP의 2가지 형태가 있으며, 가운데 단자를 Base(베이스), 양 끝은 Emitter(에미터), Collector(콜렉터) 라 한다.

실험기기
- 디지털 멀티미터, DC파워 서플라이, 오실로스코프, 함수발생기
저항
- 2k,10m,10k,가변저항
트렌지스터
- BJT Q2N3904(npn형),MOSFET Q2N7000(npn형)

참고 자료

없음
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