[전자회로]CB증폭기 동작 및 설계 isspice
- 최초 등록일
- 2014.05.27
- 최종 저작일
- 2013.04
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목차
1. 제목
2. 목적
3. 이론 배경
4. 실험내용 - 과제실습
5. 결론 및 고찰
본문내용
회로에서 증폭을 시키기 위해 사용되기 시작하였다. 어떠한 작은 입력값으로 회로의 다른점이나 출력값을 큰 값으로 변동되어지게 설계 되었다. BJT트랜 지스터는 pn접합에 하나의 극형을 더해서 npn접합이나 pnp 접합으로 만들수있다. 보통의 트랜지스터는 npn형으로 사용된다고 한다. 3가지 부분은 에미터, 베이스, 컬렉터 부분으로 나뉘어지는데 트랜지스터를 보다 효과적으로 사용하기 위해서 베이스 부분을 얇게 만든다. 트랜지스터는 전원전압 두 개를 필요로 하며 에미터-베이스 접합에 순방향 바이어스, 컬렉터-베이스 접합에 역방향 바이어스가 걸리게 된다. 베이스 영역은 매우 얇기도 하고, 강하게 도핑된 이미터 보다 약하게 되어있어, 이미터에서 베이스로 주입된 매우 적은수의 전자가 정공과 재결합한다. 역방향 바이어스된 컬렉터-베이스로 확산되어 전원에 의한 전장하의 접합을 건너서 지나가게 된다. Vcc에서 컬렉터로 흐르는 전류를 Ic라고 하고 베이스로 흐르는 전류는 라고 하고, 에서 에미터로 흐르는 전류를 라고 한다. pnp접합 트랜지스터는 npn형 트랜지스터의 반대로 설명이 된다. 트랜지스터의 컬렉터-베이스 접합이 역방향으로 바이어스 되어 있어,역방향 전류가 생기게 된다. 트랜지스터에서 역방향 전류는 베이스로 주입되는 소수 캐리어에 의해 주된전류와 같은 방향이 된다. 따라서 총 컬렉터 전류는 두성분의 합이된다. 트랜지스터는 공통 점에 의해서 공통베이스특성(베이스접지), 공통이미터특성(이미터접지), 공통컬렉터특성(컬렉터접지)로 나뉘어 진다. 세가지 특성들은 입력특성과 출력 특성을 갖게 된다. 공통베이스 입력특성 곡선은 다이오드 특성곡선과 비슷한 형태로 나가게 된다.
참고 자료
없음