CE 증폭기의 bias와 이득

목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 장비 및 재료
4. 실험절차 및 결과 분석
5. 오차이유
6. 문제
7. 토의
8. 참고 문헌

본문내용

1. 실험 제목
CE 증폭기의 bias와 이득

2. 실험 목적
․ CE 증폭기가 증폭할 수 있는 최대 출력파형에 대하여 알아본다.
․ 온도에 대하여 변화하는 트랜지스터 이득에 대하여 알아본다.

3. 실험 장비 및 재료
․ 전원 : 가변 dc 전원
․ 계측기 : Oscilloscope, 멀티미터, 함수발생기
․ 저항 : 1/4 10Ω 1%, 560Ω 1%, 1kΩ 1%(2개), 3.9kΩ, 8.2㏀, 10㏀, 18㏀, 390㏀
․ 커패시터 : 10㎌ 35V (2개), 100㎌ 25V
․ 반도체 : 2N2222A (npn)
․ 기타 : 발열장치 (5W 10Ω 시멘트저항)

<중 략>

4) 그림 5.2의 회로에서 C1의 역할은?
=> C1을 결합 커패시터라고 하는데 이 커패시터는 교류전압을 한 점에서 다른 점까지 전송시킨다. 교류신호원은 직렬로 연결된 소자들을 통해서 교류 전류를 발생시킨다.
이 전류는 신호원전압의 주파수에 따라 달라지며, 입력 Vi (교류)증폭기에 그대로 들어가게 하기 위해 사용되어 진다. 낮은 주파수에서 커패시터는 개방상태를 나타내며 전류는 거의 0이다. 높은 주파수에서 커패시터는 단락상태를 나타낸다. 결합 커패시터가 적절히 동작하는 경우 결합커패시터는 신호원의 최저주파수에서 교류단락처럼 작용한다.

이번 실험을 통해 이론으로 배웠던 CE증폭기에 대해서 실험을 통해 실제 적용되는 방법을 알수 있는 계기가 되었다. 실험 4를 하는데 함수발생기의 입력을 최소로 했을 때가 출력파형의 찌그러짐이 거의 없었다는 것을 알게 되었다. 또한 Vbe는 0.6으로 다이오드의 성질과 같이 0.6~0.7V의 전압강하가 생겼다는 것도 알게 되었다. 실험 5에서는 시멘트저항을 사용하여 실험을 하였는데 시멘트저항을 가열하였기 때문에 ‘다이오드의 주위 온도가 1℃ 상승할 때마다 전위장벽이 2mV씩 감소한다.’는 이론에 대해 직접 알아가는 계기가 되었다.

참고 자료

전자회로 7판 6장
데이타 시트, http://www.alldatasheet.co.kr/
전자회로 실험교재 5장