BJT 기본 특성 예비

소개글

"BJT 기본 특성 예비"에 대한 내용입니다.

목차

(1) 실험 개요
(2) 배경 이론
(3) 예비 보고 사항

본문내용

(1) 실험 개요

바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로 되어 있으며, 3개의 단자를 이미터, 베이스, 컬렉터라고 한다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 지니고 있으므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통하여 확인한다.

(2) 배경 이론

BJT는 p형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다.

<중 략>

BJT에서, 베이스 · 이미터 접합, 컬렉터 · 베이스 접합의 어느 방향으로 바이어스 된 상태. V_BE에 순방향 전압을 걸어주면 V_CE가 증가하면서 I_C가 일정하게 유지되기 전까지 증가하는 영역이다.
◎ Reverse Active mode
베이스-콜렉터 접합이 순 바이어스인 반면 베이스-이미터 접합은 역 바이어스인 경우이다. 즉 반대로 건 것이다. 콜렉터는 음극이 걸려 있으므로 전자들을 방출하여 양으로 바이어스된 이미터에 전자이 모일 것이다. 즉, 역 바이어스된 베이스-이미터와 순 바이어스된 베이스-콜렉터 접합은 이미터와 콜렉터가 바뀐 활성영역에서의 BJT와 같다. 이러한 상태를 역방향 활성영역이라 한다. 만약 npn구조가 대칭적이라면 이와 같은 역 방향 동작은 활성 영역과 동일할 것이지만 실제 BJT에서 콜렉터의 도핑농도는 가장 낮으므로 이 영역을 이미터로 사용할 때 효율이 좋지 않을 것이다. 이러한 이유로 반전 활성 영역에서는 알파와 베타 값은 작아져 좋은 이득을 얻지 못한다.

참고 자료

http://blog.naver.com/lws8661?Redirect=Log&logNo=10150683605
http://blog.naver.com/dolicom?Redirect=Log&logNo=10083875471
http://kin.naver.com/qna/detail.nhn?d1id=11&dirId=1118&docId=56920145&qb=7Ja866asIOyghOyVlQ==&enc=utf8&section=kin&rank=1&search_sort=0&spq=0&pid=RC73AF5Y7uKssvoagR8ssssssul-450030&sid=UkL23XJvLDEAADemH@U
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