13. 브리지회로를 이용한 L.C 측정

목차

1 실험목적
2 관련사항 및 이론
3 결과 및 토의

본문내용

브리지회로를 구성하여 인덕턴스와 커패시턴스값을 측정해 봄으로써 브리지 회로에 대한 이해를 증진시킨다.

관련사항 및 이론
브리지는 저항뿐만 아니라 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q-지수, 커패시터의 D-지수 등을 측정하는 데에도 이용 될 수 있다. 이 때 사용되는 브리지는 Wheatstone 브리지의 구성저항들을 임피던스로 확장시킨 것으로서, 임피던스 브리지라 부른다. 일반적으로 브리지에 의한 측정은 이미 알고 있는 정확한 임피던스 값들만을 토대로 하여 미지의 임피던스 값을 구하는 것이기 때문에, 그 측정의 정확도가 높다. 이 때 브리지의 평형상태를 감지하는 검류계 등의 감지장치는 임피던스 측정치에 영향을 주지 않는다. 본 실험에서는 임피던스 브리지를 이용하여 인덕턴스, Q-지수, 커패시턴스, D-지수 등을 측정하는 방법을 살펴보기로 한다.

(1) 임피던스 브리지의 평형조건
일반적인 임피던스 브리지 회로를 보인 것이다. DET는 감지장치를 나타낸다. 8장에서의 실험회로와 비교할 때 저항들이 임피던스로 대체 되고, 직류 전원이 주파수 w인 교류전원으로 대체된 것을 알 수 있다.
브리지회로에서 3개의 임피던스를 알게되면 하나의 미지임피던스는 구할 수 있다. 페이서 관계식으로서 양변페이서의 크기와 위상이 각각 같고, 실수부와 허수부 역시 같음을 의미한다.

(2) 커패시턴스 측정
이상적인 커패시터는 커패시턴스 C 성분만 갖지만, 실제의 커패시터는 불완전하여 에너지 소모성 저항 R이 C와 결합된 형태로 존재하게 된다. 이 때 커패시터의 소모성을 표시하는 척도가 D-지수이며, 직렬저항, 병렬저항에 대해서 각각 정의 할 수 있다.

참고 자료

없음