Nonohub MOS capacitor

목차

1. MOSCAP에 대하여 simulation을 진행합니다. NA=1.0*1015cm-3, gate insulator thickness는 0.1um(100nm).
1) Energy band diagram(VG=0)으로부터 반도체 surface(oxide와의 접촉면)의 상태를 확인하시오
2) Carrier density distribution(VG=0)으로부터 반도체 surface(oxide와의 접촉면)의 상태를 확인하시오
3) Energy band diagram(VG=+3V)으로부터 반도체 surface(oxide와의 접촉면)의 상태를 확인하시오
4) Carrier density distribution(VG=+3V)으로부터 반도체 surface(oxide와의 접촉면)의 상태를 확인하시오

2. A의 MOSCAP의 oxide thickness를 0.125um, 0.15um로 변경하여 각각의 simulation을 진행합니다
1) Threshold voltage의 변화를 확인하시오

3. A의 MOSCAP의 NA를 5.0*1015cm-3, 1.0*1016cm-3로 변경하여 각각의 simulation을 진행합니다
1) Energy band diagram(VG=0)으로부터 A대비 threshold voltage의 변화 방향을 (감소 혹은 증가?) 예측하시오
2) 위 결과를 C-V characteristics로부터 확인하시오
3) Vth 변화의 이유를 설명하시오

4. A의 MOSCAP의 gate electrode를 aluminum과 tungsten으로 변경하여 각각 simulation을 진행하시오
1) Energy band diagram(VG=0)으로부터 A대비 threshold voltage의 변화 방향을 (감소 혹은 증가?) 예측하시오
2) 위 결과를 C-V characteristics로부터 확인하시오
3) Vth 변화의 이유를 설명하시오

본문내용

A. MOSCAP에 대하여 simulation을 진행합니다. NA=1.0*1015cm-3, gate insulator thickness는 0.1um(100nm).
① Energy band diagram(VG=0)으로부터 반도체 surface(oxide와의 접촉면)의 상태를 확인하시오

Ei-Ef=Φfp 이고 Φfp=0.298eV이다. 그래프로부터 Conduction band는 약 0.496eV 정도 휘어져진 것을 확인할 수 있으며, 이는 Φfp=0.298eV보다 크므로 surface에서는 inversion이 일어났다고 할 수 있다.

참고 자료

없음