magnetron sputter를 이용한 박막 형성 실험레포트

목차

Ⅰ. 서 론
1. 실험 목적

Ⅱ. 본 론
1.이론적 배경
2. 실험 방법
3. 실험 결과

Ⅲ. 고 찰

Ⅳ. 참 고 자 료

본문내용

Ⅰ. 서 론
1. 실험 목적
현재 magnetron sputter는 반도체, LCD 등을 포함하는 microelectronics 산업에서 박막 형성을 위한 주요 장비로 널리 쓰이고 있으며, 소자의 고집적화 및 대형화 추세에 따라 그 이용가치는 더욱 증대되고 있다. 본 연구에서는 TFT-LCD용 color filter제조시 ITO 박막 형성을 위해 사용하는 magnetron sputter내부의 플라즈마 분포 및 ion kinetic energy에 대한 해석을 실시 하였으며, ITO target의 erosion형상의 원인을 실험결과와 비교하였다. magnetron sputter은 target에 가해지는 기본 전압에 의해 target과 shield 혹은 target과 substrate 사이에서 생성될 수 있는 플라즈마 사이의 전위차에 의해 가속된 이온들이 target 표면과 충돌하여 이차 전자방출을 일으킴과 동시에 target표면에서 sputtering을 일으키고, 이들 sputtered된 중성의 원자들이 substrate로 날아가 박막을 형성하는 원리로 작동된다.

<중 략>

Sputtering을 하여 이런 결과 값이 나왔다. target가 Ti가 아닌 AZO를 중심으로 하여 gas는 아르곤 가스를 사용을 하였다. 전압은 100W로 맞추었다. 그 후 이 실험이 끝나고 저항을 측정을 하게 되었지만 저항은 몇 번을 시도를 해 본 결과 저항값을 구하지 못하였다. 그 후에 두께를 측정하게 되었는데...두께는 각각 3번씩 측정을 하였다. 처음에 측정을 값은 837× 10-10이 나왔고, 두 번째로 측정한 값은 760× 10-10, 막지막으로 측정한 값은 733 × 10-10이 나왔다. 이 세 값을 평균을 내었더니 777× 10-10값이 나왔다.

참고 자료

http://www.yeskisti.net/yesKISTI/InfoSearch/ReadDB01.jsp?CNO=JAKO199711920462491& SITE=KLIC
http://www.nl.go.kr/ (중앙국립도서관 논문 활용)