실험 8결과 MOSFET 기본 특성 2

목차

1. 실험결과
1) NMOSFET
2) PMOSFET

2. 고찰

본문내용

■또한, 1/R_{ on}을 V_{ GS}의 함수로 plot 한다. 이 관계를 보면 둘 사이에 선형적(직선) 관계가 있음을 알 수 있으며 데이터 점들을 직선으로 연장하면 V_{ GS} 축을 만나게 되는데 이 만나는 점의 V_{ GS} 값을 읽는다. 이 값이 MOSFET의 문턱전압 V_{ TH}이 된다.
실험의 회로이다. 게이트 전압은 오픈상태이기 때문에 어차피 입력전압과 같지만 트랜지스터가 파괴되었을 때 과전류를 방지하기 위해서 저항을 연결한다.
입력 5V일 때의 저항값 293Ω이다. 시뮬레이션보다 너무 낮은 값이지만 다른 소자로 측정해도 비슷한 값이 나왔다.
3V일 때 저항값이 5V일 때의 두배가 되었다. 이론의 관계식에 따라 Vt는 1V인 것을 알수 있다. 예실험에서는 2V였는데 꽤 차이가 났다.
1V일 때의 저항값이다. 근처의 전압의 변화에 저항값 차이가 많이 나고 1V이하에서는 저항값이 너무 큰 것인지 측정이 되지 않았다.

<중 략>

실험 1에서 예비에서 측정된 것보다 너무 낮은 저항값이 측정 되었는데 회로의 고장이라고 하기에는 5V일 때보다 반토막 나는 저항값과 문턱전압이 잘 측정되었다. 소자의 노후이거나 기타 조건에 따라 바뀔 수도 있을 것이다. 실험 2의 결과가 이론의 값과 같은 것을 보면 소자의 기본특성은 예비와 데이터 시트의 수치가 맞을 것이다.
이번 실험을 통해 기억해두어야 할 것은 소자의 내부구조에서 게이트는 오픈상태이므로 게이트의 입력전압이 입력부 저항에 상관없이 게이트 단자에 모두 걸린다는 것.

참고 자료

없음