실험9 결과 MOSFET I-V 특성

목차

1. 실험결과
2. 고찰

본문내용

1kΩ과 100kΩ은 그대로의 값이었다.
보고서 작성에 대한 내용은 실험 결과에 코멘트 형식으로 추가한다.
실험1. MOSFET의 개략적인 I-V 측정
실험의 회로이다. 전류는 저항에 걸리는 전압을 측정하여 저항값으로 나누는 형식으로 측정한다. V _{GS}에는 5V를 인가하였다.
입력삼각파형이다.
출력을 본 것이다. 노란색 결과는 입력 삼각파이다. 파란색이 전류파형인데 첨두치 400mV를 100Ω으로 나누면 4mA정도의 전류라는 것을 알 수 있다. 이 전류값은 예비 시뮬레이션보다 10배정도 크다. 아마 프루브 조정이 잘못되어 10배 크게 측정된 것 같다. 이것을 생각하면 400uA일 것이다.

<중 략>

이번 실험의 MOS의 V-I특성에 대해 알아보는 실험이었다. 주요 포인트는 소신호 출력저항 r0와 λ에 과한 것이었는데 내부 등가회로로 나타내면 출력부에 병렬로 연결되는 이 저항이 핀치오프 전류보다 더 많은 전류를 흐르게 한다. 또 전류거울에 대한 실험도 했는데 이 실험도 각 노드에 걸리는 전압에 따라 모스펫의 동작 영역을 보는 실험이었다. 전류거울 회로는 이전 실험의 BJT차동 증폭기 에서도 본 적이 있는데 소자만 다를 뿐 동작 특성은 매우 흡사했다. 차이가 있다면 베이스전류가 같아서 같은 콜렉터 전류가 흐르는 BJT전류거울에 비해 MOSFET전류 거울은 같은 게이트 전압으로 같은 전류 Id를 흐르게 한다.
각 실험의 결과에서 중요한 점을 정리해 보면 1번 실험에서의 문턱전압을 구하는 방법. 게이트 입력전압-문턱전압 이후의 V _{DS}일 때 활성영역에서 조금씩 증가하는 전류와 V _{DS}와의 관계이다. 이 관계 때문에 핀치오프 전류의 간단한 전류식에서 추가로 (1+λΔV _{DS})라는 항이 곱해진다.
2번 실험은 두 가지 MOSFET를 이용한 전류거울회로였다. 두 실험에서 변화하는 R _{B}는 I _{D}를 변화시키는 대신 다른 이득이 생기는 회로였다.

참고 자료

없음