반도체 정류회로 예비
- 최초 등록일
- 2015.03.11
- 최종 저작일
- 2014.03
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목차
1. 실험목적
2. 실험원리
3. 실험도구
4. 실험 방법
5. 주의할 점
본문내용
4. 실험 방법
실험 준비
1) 함수 발생기를 이용하여 60~200Hz 사이의 신호를 발생 시킨다.
(BNC-BNC선 이용, CH1에 연결)
2) 주파수는 임의로 결정한다. MODE가 CH1인지 확인하고 GND로 기준을 맞춘 후 DC mode에 놓고 파형을 관찰한다.
3) 브레드 보드에 트랜스포머를 연결한다. 10k 220V라고 쓰여있는 부분이 출력측이고 반대 편이 입력측이다.
4) 입력측에 BNC-악어클립 선을 이용하여 함수발생기를 연결하고 출력측에도 BNC-악어클 립 선을 이용하여 오실로스코프를 연결한다.
5) 함수 발생기의 출력은 최소로 한 후 오실로스코프 VOLT.DIV를 조절하여 신호가 적절하 게 보이게끔 한다.
실험 1. 반파정류 : 입력전압을 증폭해서 정류하는 실험
1) 1차 코일의 전압이 2차 코일에서 증폭되고 있다. 다이오드의 실제모습과 기호를 잘 관찰 하여 다이오드의 은색선이 기호의 l선과 일치하게 배열한다.
2) 트랜스포머 출력측과 다이오드, 1k옴 저항을 이용하여 회로를 꾸미고 저항 양 끝의 출력 전압을 오실로스코프로 측정한다.
3) 반파 정류된 그래프 개형을 결과 레포트에 그린다.
4) 반파 정류를 더 직류에 가깝게 하기 위해 평활축전기를 연결한다.
5) 축전기를 저항과 병렬로 낮은 용량부터 높은 용량까지 연결하면서 그래프 개형이 어떻게 변하는지 결과레포트에 그린다.
6) 이때, ripple값이 어떻게 변하는지 관찰한다. 반파정류의 최대값과 ripple의 크기를 결과 레포트에 적는다.
7) 축전기를 병렬로 연결하고 저항 양단의 출력을 오실로스코프로 관찰한다.
8) ripple값을 정확하게 읽고 결과 레포트에 기재한다.
9) 축전기의 용량은 3단계로 변화시켜 반복한다.
참고 자료
전자용어사전, 월간전자기술 편집위원회, 1995.3.1., 성안당
전기용어사전, 김동희 외 6, 2011.1.10, 일진사
일반물리학실험, 김영식 외 13, 2010.2.5., 북스힐