(결과보고서)수광 소자의 특성 측정

목차

1. Abstract

2. Introduction

3. Experiment
3.1 Si·Ge 다이오드 특성 측정
3.2 PD의 특성 측정 실험

4. Conclusion
4.1 Si·Ge 다이오드 특성 측정
4.2 PD의 특성 측정 실험

5. Reference

본문내용

1. Abstract
Si, Ge 반도체의 특성을 확인할 수 있었다. 각 다이오드별 Current-Bias voltage을 확인해봄으로써 동작전압을 예측할 수 있었다.

2. Introduction
- 반도체
반도체는 도체와 비교했을 때(Si와 Cu의 비교) 더 적은 전자 케리어, 더 높은 저항 그리고 저항 온도 상수는 더 큰 음수값을 갖는다.(온도가 올라감에 따라서 저항이 작아진다.)
순수한 실리콘의 고유 저항(resistivity)은 높기 때문에 이물질(3족 또는 5족)을 섞는 도핑(doping)작업을 하여 P형 반도체(3족 원소를 섞은 것)와 N형 반도체(5족 원소를 섞은 것)를 만들어 그 전도 특성을 좋게 만든다.
N형 반도체의 경우 5족 원소인 P, As, Sb등의 원소를 순수한 Si에 도핑하면 잉여전자가 생겨 잉여전자가 이동하면서 전기를 전도하는 것이고, P형 반도체의 경우 3족 원소인 Al, Ga, In등을 도핑하여 정공이 빈자리가 되어 주변의 전자들이 빈자리를 채우면서 전기가 흐르는 것이다.
실제로 쓰는 반도체는 순수한 실리콘을 쓰지 않고 P형 반도체와 N형 반도체를 결합하여 사용하게 된다.

참고 자료

손영선 외 2명, “광통신 광학”, (광문각, 2000), pp.247~268
김경헌, “광학 및 레이저 실험”, (인하대학교 물리학과, 2012), pp.47~56
김재휘, “첨단자동차전기전자”, (골든벨, 2012), pp.123~124