반도체 클리닝 공정에 대한 레포트

목차

1. 서론
2. 본론
3. 결론
참조

본문내용

서론

클리닝 과정(Cleaning Process)
실리콘 웨이퍼는 웨이퍼 제조 공정이나, 소자 집적을 위한 반도체 공정이 진행되는 과정에서 각종 오염물에 의해 표면이 오염된다. 이러한 오염물은 반도체 소자의 생산 수율을 저하시키는 원인이 되기 때문에 반도체 소자의 제조 시에는 오염물이 많이 발생되는 단위 반도체 공정 이후에 세정공정을 실시하여 오염물의 농도를 적정한 수준으로 제어하여야 한다. 공정 이후에 세정공정을 실시하여 오염물의 농도를 적정한 수준으로 제어하여야 한다.

- 웨이퍼의 표면 상태 공정 과정
1. Oxide 막, Nitride 막, 잔류금속, Organic 제거
2. Micro 표면 거침의 정도 조절

- 오염의 종류
1. 통상 Particle로 불리는 미립자
Carbon 계열의 유기물
2. 무기물에 의한 이온성, 금속성 오염
3. 조절 되지 못한 자연 산화물


<중 략>

1. 습식세정과정

습식세정방법에는 1970년대 RCA. LAB의 W.kerm등에 의해 제안되었으며 현재까지 반도체 제작 공정에 사용된다. RCA 세정법에는 공통적으로 과산화수소(H2O2)가 근간으로 수산화 암모늄(NH4OH), 염산(HCl) 등을 이용하여 세정된다. 여기서 암모니아인 염기성을 주로 사용하는SC-1과 염산인 산성용액을 사용하는 SC-2 세정방법으로 나눌 수 있다. SC-1은 암모니아수 및 과산화수소, 초순수(DI water)의 혼합액을 사용하여 고온에서 진행하는 세정공정으로서 웨이퍼 표면의 미세입자 제거에 탁월한 효과를 보이고 있고, SC-2는 염산 및 과산화수소, 초순수의 혼합액을 사용하여 알칼리 이온(Al3+, Fe3+, Mg2+) 및 천이성 금속 오염물을 제거하는데 사용되고 있다. 하지만 RCA 세정법은 오염물질의 제거 측면에서는 높은 효율을 얻을 수 있으나 폐수 처리 시 탈과산화수소 공정을 적용해야 하므로 폐수 처리 비용이 많이 소요되고, 고온에서 세정공정이 진행되어야 하므로 에너지 소비량이 많으며, 다량의 세정액 사용으로 인해 공정비용이 많이 소요되는 문제가 있다.

참고 자료

NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/nnfcblog/60199284214)