쌍극성 접합 트랜지스터 특성: 예비보고서.pdf
- 최초 등록일
- 2015.06.17
- 최종 저작일
- 2015.04
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목차
1. 실험개요
2. 이론
3. 실험 내용 및 절차
4. 참고문헌
본문내용
1. 실험 개요
A. 실험 목적
① DMM을 사용하여 트랜지스터의 형태 (npn,pnp),단자, 재료를 결정
한다.
② 커브 트레이서를 사용하여 트랜지스터의 컬렉터 특성곡선을 그린다.
③ 트랜지스터의 와 값을 결정한다.
B. 실험을 통하여 확인하고자 하는 내용
① 측정한 값을 통해 트랜지스터의 형태, 단자, 재료를 결정한다.
② 컬렉터의 특성 곡선을 그리고 특성을 파악한다.
③ 상업용 커브 트레이서를 이용해 특성곡선을 얻고 2번의 특성곡선과
비교하여 차이를 파악한다.
2. 이론
A. 쌍극성 접합 트랜지스터란?
바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)는 쌍극인 (+), (-)
전하를 모두 이용하는 반도체로, 반도체 3개를 붙여서 만든 “전류 증폭” 소자이
다., BJT는 PNP형과 NPN형으로 나뉜다.[1]
B. 2가지 물리적 구성 형태에 따른 종류
<그 림>
NPN 형 BJT 는 아주 좁은 P 형 반도체의 양쪽에 N 형 반도체 두 개를 붙여서
만든다. 다리 3 개에 이름을 붙여주는데, 중간에 있는 P 형 반도체 다리를
베이스(Base, B), 양쪽에 있는 N 형 반도체 다리중에서 전류를 끌어오는 쪽을
컬렉터(Collector, C), 뱉어내는 쪽은 이미터(Emitter, E)라고 한다.
PNP 형 반도체는 그림과 같이 P 형, N 형, P 형 반도체가 접합되어 있는 형태로,
PNP 형 트랜지스터라고 불린다. 가운데 N 형을 베이스 (Base)라고 하고, 양쪽의
P 형을 각각 이미터(Emitter), 콜렉터(Collector)라고 한다.[2]
C. 2 개 PN 접합에 대한 바이어스 형태에 따른 구분[3]
<표>
D. 컬렉터 특성곡선
<그래프>
BJT의 베이스에 어떤 전류를 흘려 주고, 컬렉터에 걸어주는 전원을 점점 늘리면 다음과 같은 영역의 특성을 띈다. [4]
참고 자료
http://euntae.com/archives/196725
http://egloos.zum.com/attaquartz/v/338263
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=2972&search=%B9%D9
http://euntae.com/archives/196725
