x-ray 리소그래피 정리

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본문내용

This makes the production of the masks very complicated when the target ist the sub-100 nm range.
마스크를 생산하여 만들 때 100nm의 범위 설정하는 것은 매우 복잡하다.

The mask production sequence is as follows: On a silicon wafer, a thin membrane layer is deposited (e.g. SiC, Si3N4).
- mask 생산의 순서는 다음과 같습니다 : 실린콘 웨이퍼 위에 얇은 박막을 입힙니다.( SiC, Si3N4)

Onto this layer, a chromium etch stop layer and the masking layer of 300-500 nm of a high-atomic number material is evaporated (e.g. Au, Ta).
이 박막에 크롬 식각 후에 300-500nm정도의 층을 높은 원자번호 물질로 증착시킨다.

Then the mask is coated with an e-beam resist is used to etch the masking layer with an etch stop on the chromium so the membrane is not hurt.
그 후에 마스크를 코팅과 함께 e-beam resists는 크롬으로 masking layer을 시각하고 etch stop 하는데 사용된다. 크롬은 막에 영향을 주지 않는다.

The commonly used DUV resists show good process aptitude
일반적으로 사용되는 DUV 저항은 좋은 처리 능력을 보여준다.

Figure 16 : Penumbral blur and displacement error Δ for proximity x-ray lithography.
- 그림16) : procimity x-ray lithography에서 Penumbral blur 과 displacement error 변수

참고 자료

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