논리회로, 반도체 메모리 조사

목차

1. TTL
2. S-TTL
3. PMOS
4. NMOS
5. CMOS
6. PROM
7. EPROM
8. UV_EPROM
9. EEPROM
10. S-RAM
11. D-RAM
12. 출처

본문내용

1. TTL
TTL이란 트랜지스터-트랜지스터 논리(Transistor-Transistor Logic)의 줄임말이며 반도체를 이용한 논리 회로의 대표적인 것 중 하나이다. 일반적으로는 5V의 단일전원의 모노리식 집적 회로로 만들어졌다. DTL의 개량품으로 1970년대에 텍사스 인스트루먼트 사의 표준 논리 IC 종류 (74 시리즈)에 의해 널리 보급됐다. 표준 시리즈부터, 고속용, 저소비 전력용, 고속 및 저소비 전력용 같은 변종이 퍼져서 초기 마이크로프로세서의 응용의 확대와 동시에 더욱 보급됐다. 그러나 바이폴러 트랜지스터를 사용했기 때문에 소비전력이 크고, 고집적화 및 고속화되지 않아서 시모스 논리 IC 기술의 발달로 논리 회로의 주력 자리를 시모스에게 양보했다.
오른쪽의 그림과 같은 멀티이미터 트랜지스터를 입력으로 한 논리 회로를 예로들면 TTL은 팬아웃(fan-out)이 많이 얻어지고, 출력 임피던스도 낮아 현재 가장 품종이 풍부하고 널리 사용되고 있으나 전력 소비의 점에서 LS-TTL 등으로 대치되고 있다.

2. S-TTL
S-TTL이란 Schottky transistor-transistor logic의 줄임말로 쉽게 말해서 고속도의 TTL을 의미한다. 텍서스 인스트루먼트사의 54S/74S계열로서 만들어졌다. 트랜지스터의 베이스에서 컬렉터로 쇼트키 다이오드를 클램프하여 접속한 것을 사용하고, 트랜지스터의 축적 시간의 감소를 도모하고 있다. 평균의 전달 지연은 2~3㎱이며, 평균의 소비 전력은 게이트당 20㎻ 이다.

3. PMOS
N형 금속 산화막 반도체(NMOS)보다 스위칭 속도가 느리다. P형 금속 산화막 반도체(PMOS)는 정공을 캐리어로 하지만, NMOS는 전자를 캐리어로 하기 때문에 PMOS보다 스위칭 속도가 2~3배 빠르고, 전원의 극성이 플러스이기 때문에 양극성 집적 회로(IC)를 접속하기가 쉽다.

4. NMOS
N 채널 트랜지스터로 구성되고, P형 기관을 사용하며 전류통로를 흐르는 캐리어가 전자인 반도체. 속도는 빠르지만 전력 소모가 크다.

참고 자료

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