트랜지스터 기초실험

목차

Ⅰ. 목적
Ⅱ. 이론
Ⅲ. 실험 장치
Ⅳ. 실험 방법
Ⅴ. 실험 결과
Ⅵ. 토의 및 고찰

본문내용

Ⅰ. 목적
(1) 증폭기로서의 트랜지스터 작용을 이해하고 트랜지스터의 바이어싱을 알아본다.
(2) 트랜지스터의 증폭률을 구한다.

Ⅱ. 이론
1. 트랜지스터의 기본 구조 및 바이어싱
우리가 사용하는 트랜지스터는 npn형 혹을 pnp형의 두 가지로 분류될 수 있으며 그린 27-1은 트랜지스터의 기본 구조와 기호를 나타낸다.

<그림 27-1. 트랜지스터의 구조 및 기호>

그림 27-1에서 알 수 있듯이 pnp 트랜지스터는 EB(에미터 베이스) 빛 CB(콜렉터 베이스)간이 pn 다이오드로 구성되어 있다. 그리고 트랜지스터는 3단자 소자이므로 4단자망 회로에 적용하기 위해서는 어느 한 단자를 공통으로 사용해야 한다. 이 때 공통으로 사용하는 단자에 따라 베이스 공통(CB), 에미터 공통(CE), 콜렉터 공통(CC) 등의 구성방법이 있다. 그중 한 예로 베이스 공통 회로를 살펴보면 그림 27-2와 같다.

<그림 27-2. 트랜지스터 바이어스>

그림 27-2의 바이어스는 EB간이 순방향 바이어스, CB간이 역방향 바이어스로 되어 있다. 에미터의 정공은 EB간의 순방향 바이어스 때문에 베이스로 넘어간다. 베이스로 넘어간 정공은 베이슬 지나 BC 접합 부근에 도달하면 BC간의 강한 전계에 끌려서 콜렉터로 넘어갈 것이다. 이 때 베이스를 통과하는 정공들은 베이스 내의 전자들과 재결합 하여 소멸되는 경우도 존재한다. 이렇게 소멸되는 정공 수를 줄이기 위해 베이스의 폭은 될 수 있는 대로 작게 하는 것이 좋다. 일반적인 pn 다이오드를 pn-pn로 구성하여 트랜지스터로 사용할 수 없는 이류는 베이스의 폭이 매우 길어져서 베이스 내로 주입된 정공이 베이스를 통화하기 전에 거의 다 재결합에 의해 소멸되기 때문에 트랜지스터 작용을 할 수 없게 되기 때문이다. 에미터, 베이스 및 콜렉터의 직류 전류를 I, I, 및 I라 하면 그림 27-2에서 다음 식과 같이 된다.

<중 략>

4. 트랜지스터 시험법
(가) 에미터와 콜렉터의 판별법
에미터와 콜렉터는 간은 형의 반도체이지만 불순물 도핑 농도가 서로 다르기 때문에 분명히 구별된다.

참고 자료

전자회로 출판 : 광문각 저자 :장학신