Implant energy 변화에 따른 nMOSFET의 특성

소개글

nMOSFET에서 Source와 Drain의 Implant energy의 변화에 따른 electron current, hole current의 변화를 관찰하고자 함

목차

1. 실험 목적
2. Process Flow Value
3. Simulation Results
4. 실험 결론 및 고찰

본문내용

1. 실험 목적
- nMOSFET에서 Source와 Drain의 Implant energy의 변화에 따른 electron current, hole current의 변화를 관찰하고자 함.

<중 략>

1) 본인이 설계한 반도체는 산화막에 의해 전류 통로로부터 절연된 게이트 전극에 전압을 인가하여, Source 전극과 Drain 전극 간에 전류 통로를 제어함으로서 동작하는 nMOS 트랜지스터이다.
2) Implant Energy가 커짐에 따라 전류가 흐르기 시작하는 전압이 작아진다. (문턱전압이 작아짐)
3) Vgs값이 커질수록 ID가 커짐. (Vgs로 ID를 조절할 수 있으나 한계점이 있음)
4) 아래 그림에서처럼 Implant Energy를 높게 하면 Source와 Drain 두께가 넓어지게 된다.

참고 자료

없음