반도체 나노입자의 분광학적 성질 예비레포트

목차

1. 반도체 나노입자의 분광학적 성질
2. 실험목적
3. 실험이론 및 배경
4. 장치 및 시약
5. 실험방법
6. 참고문헌

본문내용

벌크의 반도체 상의 전자 에너지 상태는 띠 이론(Band Theory)에 의하여 설명된다. 고체는 무한히 많은 원자들로 이루어져 있는데, 이 원자들은 각각 에너지 준위가 매우 가까이 접근 되어있기 때문에 결합을 나타내는 분자궤도 함수의 에너지 준위들은 연속되어 있는 것처럼 보일 수 있다. 이것을 에너지 띠(band)라고 부른다. 원자가 결합하여 분자가 될 때 결합 궤도함수와 반결합 궤도함수가 생성되는 것과 마찬가지로 고체의 띠도 결합 띠와 반결합 띠가 형성된다. 그리고 반도체는 가장 높이 채워진 결합 띠를 원자가띠(valance band)라하고 가장 낮은 안 채워진 반결합 띠를 전도띠(conduction band)라고 한다. 그리고 두 띠 사이의 에너지 차이를 Band Gap()라고 한다. 그러나 작은 나노 반도체 입자(지름20~100nm정도)의 경우, 벌크(bulk)고체와 다른 광학적 성질을 보인다. 입자의 크기가 작아짐에 따라 다음의 두 가지 광학적 효과를 관찰할 수 있다.

참고 자료

물리화학실험/대한화학회/청문각/p.109~112/2009
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=748233&cid=356&categoryId=356
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