MOSFET-02

목차

1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab
나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab

2. Results of this Lab (실험 결과)
가. Inlab 1. CMOS Inverter
나. Inlab 2. NMOS Bias Circuit

3. Discussion (토론)
가. Check agreement between the hypothesis and the result
나. Data analysis (compare results, reasons of error)

4. Conclusion (결론)
가. Summarize experiment contents & purpose of this Lab
나. Studies from this Lab

5. Reference (참고문헌)

본문내용

1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab : MOSFET을 사용한 응용실험을 하기 위해 그 특성에 대해 미리 알아보고 그 특성을 나타내는지 실험을 통해 확인해 본다.

나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
1) CMOS 인버터 : 증가형 pMOS가 부하소자로 사용되고 증가형 nMOS가 구동소자로 사용된다. pMOS의 source는 전원에 연결되고, nMOS의 source는 접지에 연결되며, 출력은 부하소자와 구동소자의 Drain 접점에서 얻어진다. pMOS의 기판은 VDD에 연결되고, nMOS의 기판은 접지에 연결되어야 인버터 회로가 올바로 동작할 수 있다. pMOS는 n형 기판에 만들어지며, nMOS는 p-well 안에 만들어진다. n형 기판은 n+ 확산영역을 통해 n+로 연결되는데, 이를 기판 컨택(substrate contact)이라고 한다. p-well은 p+ 확산영역을 통해 접지로 연결되며, 이를 웰 컨택(well contact)이라고 한다. 기판 컨택에 의해 n형 기판과 pMOS source/drain의 pn 접합에 역방향 바이어스가 인가되고, 웰 컨택에 의해 p-well과 nMOS 소오스/드레인의 pn 접합에 역방향 바이어스가 인가되어 pMOS와 nMOS가 올바로 동작할 수 있게 된다.

<중 략>

나. Data analysis (compare results, reasons of error)
1) Inlab 1. CMOS Inverter
가) VIN를 0V에서 5V로 변화 시키면서 VO 값을 측정했을 때 : 이 실험의 경우는 주어진 회로에서 값을 0.3V씩 변화시켜 0V부터 5.1V까지 확인한 것이다. 이 경우에 이론적인 결과와 같이 어느 순간까지는 일정하다가 0V까지 떨어지는 그래프가 나왔다. 하지만 이 실험에서 Pspice model과 비교한 결과 떨어지는 시점은 비슷했으나 그 기울기가 너무 커서 일정하게 유지되는 지점이 달랐다는 점이 있다.

참고 자료

09 실험 교안
전자회로 책(Microelectronic Circuits) 참고
http://www.hanbit.co.kr/preview/4110/sample.pdf