MOSFET-01

목차

1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab
나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab

2. Supposed Data and Results of this Lab (예상 실험 결과)
가. Prelab 1. MOSFET Information for Lab.
나. Prelab 2. N-Channel MOSFET
다. Prelab 3.

3. Reference (참고문헌)

본문내용

1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab :

나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
1) MOSFET : MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)또는 MOS 트랜지스터는 금속막, 산화막, 반도체영역으로 구성된 트랜지스터의 일종이다. MOS 트랜지스터의 source와 drain은 실리콘 표면에 생성되며 gate의 양쪽에 배치 되게 된다. 반도체 영역은 대부분 트랜지스터 역할을 하기 위해 표면이 단결정 실리콘으로 도핑 되어 있다.
산화막은 실리콘 산화막 형태로 구성 되는데 금속막과 절연을 하는 기능을 한다. 금속막은 MOS 트랜지스터에 전압을 인가하기 위한 지점으로 사용된다. MOS 트랜지스터는 gate, source, drain 3개의 터미널로 구성된다. 이것들은 각각 bipolar 트랜지스터의base, emitter, collector와 같다. MOS 트랜지스터의 source와 drain이 실리콘 표면에 만들어지는 반면 gate는 금속막 층에 있게 된다. Bipolar 트랜지스터처럼 MOS 트랜지스터를 통한 전류의 흐름은 gate에 인가 되는 전류에 따라 제어가 된다. Bipolar 트랜지스터가 base에 인가되는 전류의 양에 따라 제어되는 것과는 다르게 MOS 트랜지스터는 gate의 전압 수위에 따라서 제어 된다. Gate 밑 부분을 채널 이라 하며 채널의 전도성은 gate에 인가되는 전압에 의해 제어 된다.

<중 략>

2. Supposed Data and Results of this Lab (예상 실험 결과)
가. Prelab 1. MOSFET Information for Lab.
1) 2015년도 1학기 전자전기컴퓨터설계실험 III의 MOSFET 회로에서 다루는 트랜지스터는 N-Channel MOSFET으로 2N7000, P-Channel MOSFET으로 FDC6329L를 사용합니다. Web 상에서 필요한 정보를 찾아 보기 바랍니다.

참고 자료

08 실험 교안
전자회로 책(Microelectronic Circuits) 참고
http://semipark.co.kr/semidoc/basic/mosfet.asp?tm=1&tms=8
http://xenon87.tistory.com/61