실험1예비보고서. 접합 다이오드의 특성

목차

Ⅰ.실험목적
Ⅱ.배경지식 및 내용
Ⅲ.실험방법
Ⅳ.모의실험

본문내용

·접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 측정하고 이를 그래프로 도시한다.
·저항계로 접합 다이오드를 시험한다.

Ⅱ.배경지식 및 내용
*반도체
반도체는 그 비저항값이 도체와 절연체 사이에 있는 고체를 말한다. 그 예로는 트랜지스터, 접합 다이오드, 지너 다이오드, 터널 다이오드, 집적회로, 금속 정류기 등을 들 수 있다.
이런 반도체 소자는 많은 제어 기능을 수행하며 증폭기 , 정류기, 검출기, 발진기, 스위칭 소자 등으로 이용 될 수 있다.
현재 대부분의 반도체 소자는 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다.
실리콘은 반도체 물질로 사용되기 전에 아주 고순도로 정제되어야 한다. 순수한 반도체는 매우 낮은 전기 전도도를 갖는다.
즉 비저항이 크다. 실리콘의 전기 전도도도는 미량의 특정 ‘불순물(impurity)’을 첨가함으로써 증가될 수 있다.
불순물의 종류와 양을 정해 첨가하는 것을 도핑(doping)이라고 하며, 도핑은 반도체 원소의 원자 내 전자 결합 구조를 변화시켜 전류에 기여하는 캐리어(carrier)를 제공함으로써 반도체의 전기 전도도를 증가시킨다.

참고 자료

없음