실험4예비보고서. BJT(Bipolar Junction Transistor)의 특성

목차

1. 실험목적
2. 기초이론
3. 실험방법

본문내용

1.실험목적
· BJT 소자의 문턱 전압(threshold voltage)를 측정한다.
· IB의 변화가 IC에 미치는 영향을 측정한다.
· β를 측정, 결정한다.
· npn형 BJT의 컬렉터(VCE-IC)특성 곡선군을 실험적으로 결정하고 그래프로 그린다.
· 점 대 점 방법(point-by-point method)를 이용하여 BJT의 평균 컬렉터 특성 곡선군을 관측한다.

2.기초이론
·BJT 구성 및 특성

바이폴라 접합 트랜지스터(BJT : Bipolar Junction Transistor)는 PN접합의 실리콘(Si) EH는 게르마늄(Ge) 다이오드에 한층을 더하 여, p형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자이다.
그 구성에 따라 npn형과 pnp형으로 나눈다. 결합한 3개의 반도체는 이미터 (emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)의 3개의 단자로 구분되는데, npn형 BJT는 이미터 영역은 n형, 베이스 영역은 p형, 컬렉터 영역은 n형으로 구성된다.

참고 자료

없음