쌍극성 접합 트랜지스터 특성 결과레포트

목차

1. 결과값
2. 결론 및 토의

본문내용

6.결론 및 토의
쌍극성 접합 트랜지스터 특성 실험에서 트랜지스터는 Si이나 Ge중의 하나로 만들어지는데 그들의 구조는 하나는 p형 이고 하나는 n이다 즉 주 종류의 트랜지스터는 npn과 pnp가 있다.
이번 실험에 쓰인 트랜지스터는 npn형임이 나타났다.
측정이 안 된 것은 npn에서 역방향으로 바이어스가 돼서 저항이 너무 높아서 저항 이 측정이 안된 것 같다.
BJT 출력 특성에서는 가변저항을 사용하는데 초반에 조금 어려움이 있었다. IB를 일정하게주고 β값이 증가하면 IC도 증가하는게 나타났고 β가 미치는 영향이 VCE가 IC보다 더 큰 것 같다.
이번 실험에서 β값의 평균은 140이 나왔고 α는 0.933이 나왔다. 이번 실험에서의 오차는 도선에 있는 저항, 계산하면서 반올림을 하는데서 조금 발생한 것 같다.

참고 자료

없음