2장결과_직렬 및 병렬 다이오드회로

목차

1. 실험결과
2. 검토 및 토의

본문내용

2. 검토 및 토의
이번 실험은 직렬 및 병렬 다이오드 회로로 직렬 및 병렬로 구성된 다이오드 회로를 해석하는 것이었다. 다이오드(Si, Ge 다이오드)는 고유한 문턱전압 VT를 갖고 있다. 이 VT는 저항과 같은 역할을 하며, 그 이상의 전압을 가해야만 전류를 흐르게 한다. 직렬구성에서 VO 는 R에 걸리는 전압을 KVL에 의해 공급된 전압 VS에서 Si다이오드에 걸린 전압을 빼는 것이고 병렬 구성에서는 Si와 Ge중 Ge의 VT가 낮아 가해준 전압에 의해 Ge으로만 전류가 흘러 VO 는 Ge의 VT가 된다. 첫 번째 실험에서는 5V의 전압을 실리콘 다이오드와 저항기가 직렬인 회로에 공급하였는데 여기서 다이오드에 걸리는 전압은 이상적인 다이오드에서는 0.7V가 되게 된다.

참고 자료

없음