쌍극성 접합 트랜지스터 특성 예비보고서

목차

1. 실험에 관련된 이론
2. 실험회로 및 시뮬레이션 결과
3. 실험방법 및 유의사항
4. 참고문헌

본문내용

실험에 관련된 이론
(1) Bipolar transistor의 동작원리
Bipolar transistor는 두 개의 pn 접합을 n이나 p 영역이 공유되도록 붙여 놓은 것으로, 그 붙여 놓은 모양에 따라 pnp형과 npn형이 있다. 그림 1(a)는 pnp형 트랜지스터의 도식적인 그림이다. 이 두가지 transistor의 동작원리는 비슷하므로 여기서는 pnp형에 대해 설명을 하기로 한다. Transistor의 가장 기본적인 기능은 증폭작용인데, 이 증폭작용을 하기 위해서는 transistor에 적당한 바이어스 전압을 걸어줘야 한다. 증폭작용을 위한 바이어스는 두 pn 접합 중 하나에는 순방향 전압, 다른 하나에는 역방향 전압을 걸게 된다. 이 때 pnp형 transistor에서 순방향 전압이 걸린 접합의 p 영역을 에미터 (emitter), 역방향 전압이 걸린 접합의 p 영역을 컬렉터 (collector), 그리고 가운데 n 영역을 베이스 (base)라고 부른다. 그림 1(b)에 pnp형 트랜지스터의 회로기호가 있는데, npn 형의 경우에는 화살표의 방향을 반대로 하면 된다.

Emitter와 base 사이에 순방향 전압을 걸면 다이오우드에서와 마찬가지로, p형에서 n형으로는 정공이 주입되고 또 n형에서 p형으로는 전자가 주입된다. pnp형 transistor에서는 p형에서 n형으로 주입된 정공이 주된 역할을 하게 된다. 보통의 다이오우드에서는 n 영역에 들어온 정공은 n 영역에 많이 있는 전자와 재결합하여 소모되게 된다. 하지만 transistor의 base 영역의 두께는 매우 얇으므로, 대부분의 정공은 재결합되기 전에 collector 접합에 도달하게 된다. 역방향 전압이 걸려있는 collector 접합에는 강한 전기장이 걸려있게 되고, 이 전기장은 collector 접합에 들어온 정공을 collector 영역으로 이동하게 만든다. 결국 pnp형 transistor에서 emitter에서 방출한 정공은 대부분 collector에서 모아지게 된다.

참고 자료

http://www.google.co.kr/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=3&ved=0ahUKEwiy293lsYPMAhXEJ5QKHX4ZBG4QFggrMAI&url=http%3A%2F%2Fcfile234.uf.daum.net%2Fattach%2F115C991C4AB30DA85B6F0B&usg=AFQjCNGUvVAKVsBdIPQGN9LJmrU5FoeJlA&bvm=bv.119028448,d.dGo
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