BJT의 고정 및 전압분배 바이어스 예비보고서
- 최초 등록일
- 2016.06.18
- 최종 저작일
- 2016.04
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목차
1. 실험에 관련된 이론
2. 실험회로 및 시뮬레이션 결과
3. 실험방법 및 유의사항
4. 참고문헌
본문내용
실험에 관련된 이론
실리콘 트랜지스터로 0.7V 미만의 작은 신호(교류신호)는 증폭을 할 수가 없다. 그 이유는, 트랜지스터의 베이스는 일정전압(0.7V)이상 되지 않으면 전류가 흐르지 않기 때문이다. 전원을 연결하더라도 0.7V 이하의 신호로는 어떤 작동도 할 수 없다는 뜻 이다. 당연한 얘기지만 이러면 수십mV 이하의 소신호 증폭은 할 수가 없습니다. 따라서, 0.7V 이상의 전압 + 증폭할 신호전압을 베이스에 전달하는 방법이 필요한데 이 때 사용하는 테크닉이 바로 "bias" 이고, 일반적으로 "바이어스를 건다" 라고 표현 한다. 아주 간단한 것은 베이스에 단 1개의 저항으로 구성 가능 하다. (고정 바이어스 라고도 한다) 그러나, 이렇게 절대값으로 해버리면 전압, 전류, 온도, 거기다가 제조상의 편차로 인해 같은 형번의 TR 을 쓴다고 해도 작동환경 변화, 부품교체 등의 경우가 발생하면 "기준치 내에서 잘 작동한다" 라고 보장 할 수 없게 됩니다.
트랜지스터는 동일 형번이라도 HFE(증폭률)의 차이가 상당 하다.
이런 이유로, 조건 변화에 따라 능동적으로 변화되는 바이어스가 필요하게 되었는데 가장 간단한 것으로는 컬렉터-바이어스(자기바이어스 라고도 함)가 있다. 그러나 실용의 회로(온도나 전원전압이 변동하는 환경 등)에서는 이것만으로는 부족 하다. 그래서 이보다 훨씬 더 안정적인 이미터-바이어스(전류궤환바이어스 라고도 함)를 주로 사용 한다.
"베타" 라고 하는 것은 HFE(증폭률)를 말하는 것이고, 영어 표기로는 β 이다.
접합형 트랜지스터(BJT, 흔히 말하는 PNP,NPN 트랜지스터)에 해당하는 것이고 FET(IG-FET(MOS-FET, 절연게이트FET) 혹은 J-FET(접합게이트FET)) 에는 해당하지 않는다.
Base Bias(베이스 바이어스, 고정 바이어스 라고도 함)
가장 간단한 바이어스는 베이스-바이어스 저항기를 베이스와 베이스전원 VBB 사이에 연결하는 것이다.
새로운 바이어스 전원(VBB) 대신 기존의 Vcc 전원을 사용하는 것은 편리하다.
참고 자료
http://ds1orj.tistory.com/13