BJT의 특성 및 bias 결과레포트

목차

1. 실험 제목
2. 결과 분석
3. 오차이유
4. 문제
5. 토의

본문내용

A. pnp트랜지스터의 bias
1. 주어진 트랜지스터의 형(type)과 에미터, 베이스, 콜렉터 리이드를 테스터를 사용하여 확인하라.

2. 그림 3.1의 회로를 구성하라. 스위치 S1을 열고, 가변저항 R2는 최대로 한다. 전류계 A1과 A2는 가장 큰 range에 놓고 나중에 필요에 따라 range를 바꾼다
3. 스위치 S1을 닫고, IE와 IC를 측정하여 표 3.1에 기록하라. 또, VBE와 VCB를 측정하여 극성과 함께 표 3.1에 기록하라.
- 실험 시 Bread Board에 위의 회로를 구성하였다. 가변 저항 R2는 멀티미터로 저항을 측정하면서 최대치 5kΩ가 될 때를 맞추고 저항 값을 고정한 뒤, IE와 IC 그리고 VBE와 VCB를 측정하였다.
※ 이론적으로
VCB = VC - VB = 0.253V이다.
실험으로는
IC가 0.176 mA로 측정되었으므로 계산상 0.308V가 되어야 하나 실제로는 0.176V가 나왔다. 오차가 약 0.132V 정도 생겼다.

참고 자료

없음