CE구성의 특성곡선 및 측정 결과REPORT

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목차

1. 실험 제목
2. 결과 분석
3. 오차이유
4. 문제
5. 토의

본문내용

A. β측정
1. 주어진 트랜지스터의 형(type)과 에미터, 베이스, 콜렉터 단자를 테스터의 다이오드 시험기능을 사용하여 확인하라.

2. 그림 4.1의 회로를 구성하라. 스위치 S1과 S2를 열고, 가변저항 R4 최대로 한다. 전류계 A1과 A2는 가장 큰 range에 놓고 나중에 필요에 따라 range를 바꾼다.

3. 스위치 S1과 S2를 닫고, 가변저항 R2를 최대치에서 최소치까지 변화시킨다. 이에 따른 IB의 증가와 IC의 변화를 관찰하고, 그 결과를 표 4.1에 기록하라.

- 실험 시 Bread Board 위에 위의 회로를 구성하였다. 가변저항 R2를 최대치에서 최소치까지 변화시키면서 저항 값을 측정하였으나, 교류로 회로를 구성해서 그런지 전류의 값에 큰 변화가 없었다.
※ 이론적으로 0.044mA에서 8.5mA 정도의 큰 차이의 전류의 변화가 있었어야 했으나, 회로의 구성이 잘못되었는지 전류의 큰 변화를 만들지 못하였다.

참고 자료

없음